其他品牌 品牌
代理商厂商性质
西安市所在地
一种基于塑封硅基TR芯片的瓦片式有源相控阵子阵。包括:天线子阵、收发电路板和 金属壳体散热器。天线子阵包含4×4宽带辐射单元。收发电路板包含四片硅基TR芯片、功 分合成网络以及分布式数字控制电路,每片硅基TR芯片有四路收发通道,能够完成接收信 号放大和相位幅度调整,并且能够将发射信号移相 放大输出。采用瓦片式结构,天线与收发电路层叠 设计,通过垂直互联结构连接形成整体,系统可靠 性高。且硅基芯片批量成本低,有效降低了整机成 本。使用高集成度硅基TR芯片,有效解决了瓦片式 两维相控阵天线横向空间受限的问题,通过瓦片层 叠结构将天线射频一体化集成,形成可自由拼接的 标准化有源子阵。
采用标准化子阵模块,硬件可重构,软件可定 义,研制了一种具有低成本、高集成度、模块化、 散热能力强、可靠性高且具有快速维修能力的两维 相控阵雷达射频前端。包括:天线罩、采用硅基TR 芯片的有源相控阵子阵(16通道)、散热壳体、功 分网络、波控电源板、和差网络、频综接收机和散 热风机
采用瓦片式结构,基于多子阵模块化扩展设计实现整阵。使用硅基TR芯片有效 解决了瓦片式相控阵天线横向空间受限的问题,有源相控阵子阵及壳体的散热设计 为解决散热难题提出了一个有效的方案。
子模块技术指标:
名称 技术指标 工作频段 X波段 极化方式 线极化 /圆极化 波束扫描范围 方位面:±45°,俯仰面:±45° 增益 法向 >16dB 描范围内下降 <3.5dB zui大占空比 ≤30% 半功率波束带宽 方位面:23°±2.3° 俯仰角:23°±2.3° 移相执行时间 ≤100ns 移相器位数 6位 衰减器位数 6位 单通道功率 ≥0.5W 单通道噪声系数 ≤3dB
整阵技术指标:
名称 技术指标 工作频段 X频段 极化方式 垂直线极化 中频 210MHz 瞬时带宽 30MHz 波束扫描范围 方位面:±45°,俯仰面:±45° 阵列规模(TR通道数目) 24×24 zui大占空比 30% 半功率波束带宽 接收 方位:4.6°±0.5°,俯仰:4.6°±0.4° 发射 方位:3.8°±0.4°,俯仰:3.8°±0.4° 接收副瓣电平 ≤-20dB 接收差波束零深 方位:≤-25dB 俯仰:≤-25dB G/T ≥2dB/K EIRP ≥83dBm 功耗 ≤600W
应用场景:
目前子阵工作频率X波段,天线极 化为垂直线极化。在主体方案不变的情 况下,可以根据总体需要,在8~12GHz 频带范围内调整,天线极化也可以按照 水平线极化或者圆极化设计。