光致发光(photoluminescence)即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。

传统的荧光光谱仪一般采用透镜收光的方式，针对发光非常微弱的纳米材料，即便用激光器激发，也很难获得较好的信号。结合多年的实际测样经验，良允科仪推出了显微PL系统，采用显微物镜收光，较传统的荧光光谱仪其收光效率提升了至少3个数量级，因此特别适用于传统荧光系统难以检测到的微弱信号，另外其辅助的白光成像功能，还可以实现微区（微米级）定位测量。

应用领域：

· 半导体材料

· 纳米材料

· 薄膜材料

· 光波导器件

· LD, LED外延片

产品特点：

· 光谱范围：200-1700nm

· 光斑大小：≤10μm（325nm激光、100X物镜）

· 光谱分辨率：优于0.1nm

· 白光成像分辨率：亚微米级

· 激光器：266nm、325nm、360nm、405nm、488nm、510nm、532nm、633nm、785nm等可选

· 样品台：手动/电动可选

· 采谱模式：单点扫描/线扫描可选

系统功能：

· 微区PL测量

· 可同时配置多路激光器

· 自由光路耦合，保障光效率

· 显微光路设计，保障激发、收集效率

· 高精度位移台，实现微米级定位测量

扩展功能：

· 微区电致发光（EL）测量

· 荧光寿命测量：ps-ms量级

· 自动Mapping功能：50mm×50mm行程，步进精度1μm

· 光电流谱（成像）测量

· 光电材料响应度测试

· 变温附件：77K-600℃/4K、10K超低温

实测案例：

样品（粉末）：8%Ag2S/SnS2-ND

激发光源：405nm激光器，积分时间：0.5s；

AlGaN宽禁带半导体材料