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射频辉光放电光谱仪GD-OES

射频辉光放电光谱仪可以检测导体、非导体、半导体薄/厚膜中70多种元素随镀层结构和深度的变化。射频辉光放电光谱仪的分析速度达-10 nm/s，可检测元素浓度范围从ppm到1，深度分辨率小于1 nm。操作简单，无需制样，还可为SEM制备样品。常用于镀层结构、层间元素扩散、表面处理等研究。

射频辉光放电光谱仪的典型应用：LED外延片、太阳能电池、半导体芯片、渗氮渗碳、钢铁、腐蚀等多个领域

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