EMG LIC1075/11光发射器 

EMG LIC1075/11光发射器 

德国EMG 摄像头 LS13.01 

EMG LLS675/01光源

EMG光源LLS1075/01

EMG EVK2-CP/300.02/R光电传感器

EMG LWH-0300位置传感器

EMG KLW300.012位移传感器

EMG LLS 675/02 电动缸

EMG SV1-10/16/120/6 伺服阀

EMG SV1-10/16/315-6伺服阀

EMG SV1-10/32/315/6伺服阀  

EMG SV1-10/32/315/8伺服阀  

EMG SV1-10/48/315/8伺服阀  

EMG SV2-10/64/210/6伺服阀

EMG SV1-10/8/315/6伺服阀

EMG SV1-10/48/315/6伺服阀

EMG SV1-10/32/100/6伺服阀

EMG SV1-10/8/120/6伺服阀  

EMG SV1-10/4/120/6伺服阀

EMG SV2-16/125/315/1/1/01伺服阀

EMG KLW 360.012传感器

EMG KLW150.012传感器

EMG KLW225.012传感器

EMG KLW300.012传感器

EMG KLW450.012传感器

EMG KLW600.012传感器

EMG LLS675/02 LICHTBAND对中整流器

EMG LID2-800.32C 对中光源发射器

EMG LID2-800.2C 对中光源发射器

EMG DMC2000-B3-160-SMC002-DCS电动执行器

EMG LIC2.01.1电路板

EMG EB1250-60IIW5T推动杆  

EMG EB800-60II推动杆  

EMG EB220-50/2IIW5T推动杆  

EMG EB300-50IIW5T推动杆  

EMG EVB03/235351放大器    

EMG DMCR59-B1-10电动执行器

由光源（激光器或发光二极管）及其驱动电路（有时也加监控或其它电路）组成的具有光发射功能的混合集成模块或单片集成组件。驱动电路必须提供足够的电流，因此要求搭配大电流的电器件。光发射器制作的关键问题是降低激光器的阈值电流。GaAs系量子阱（QW）激光器阈值电流为毫安量级，GaAs MESFET（金属特基势垒场效应管）可提供符合要求的驱动电流，已有GaAs系光发射器集成。但适合1.3μm，1.5μm波长光纤通信发送电路用的InP系激光器（不论是异质结构还是量子阱结构），阈值电流还较高，达十几毫安，只制成了混合集成系列光发射器模块。单片集成的电器件很不成熟，工艺难度很大。对MISFET（金属-绝缘体-半导体场效应管）、JFET（结型场效应管）或异质结双极晶体管（HBT）进行了实验。将它们和激光器集成在InP基片上的工艺兼容性还有许多问题尚待解决。宜制作各种短波长和长波长激光器的GaAs和InP材料,同时又是制作微波晶体管等高速电子线路以及雪崩光电二极管(APD)等高速光电探测器的良好材料。OEIc继承了GaAs和IoP集成电路的高速性和光电器件的功能性,因而具有更强的功能和突出的*性。由于在Ga人s衬底上已经得到了性能优良的结型探测器、激光器(LD)和场效品体管F(ET),并且制作工艺也较成熟。1978年Ya:vi实验室在GaAs衬底上实现了GaAIAs激光器和一个耿氏(Gu,In)器件的集成。此后许多实验室相继做出了各种结构的OEIC,文实现了LD/F（ET）的集成，得到了光电探测器与FET的集成和中继器的单片集成。OEIC具有许多*性。它不仅由于集成了光电的多功能性，而且降低了寄生电容和寄生电感而极大地提高了速度,降低了噪声。另外,多元件的单片集成减少了系统结构所需要的元件数目,而且有更好的密集性和高度的可靠性,同时也减小了功耗。