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设备主要以金属源,有机源蒸发为主体,适用于实验室制备金属单质、氧化物、介电质、半导体膜、扫描电镜制样等,也可用作教学及生产线前期工艺试验等,整套设备操作简便,综合功能多,扩展空间大,适合及满足大专院校的教学与科研工作。
蒸镀系统由蒸镀真空室腔体,金属源镀膜系统,有机源镀膜系统,样品台系统,真空泵机组,膜厚检测系统,设备机架和电控系统组成,真空室前门与手套箱对接,该设备采用了一体化的设计方案,使整套设备结构紧凑、布局简洁避免了实验设备外观凌乱的现象。
各部分的技术指标如下:
1、蒸镀真空室腔体
a) 蒸镀真空室腔体均为USU304优质不锈钢D形前后开门结构,真空室内部尺寸D350*450mm(暂定),焊接前各个不锈钢部件需进行物理,化学式表面抛光,焊接后采用电解式抛光,真空室表面洁净美观,真空腔体前后门均配有DN100视窗,可对真空腔体内部进行实时监控,并配有挡板以及防护玻璃,预防观察窗污染;
b) 真空腔体底部安装2套金属源组件(含气动挡板),5套有机源组件(含气动挡板),1200L/S涡轮分子泵真空泵机组,2套烘烤照明系统以及3套水冷膜厚探头等;
c) 顶部安装多功能样品台一套,电动样品托挡板,KF16气动角阀(接通手套箱与真空室,通气作用)以及其他辅助法兰;
d) 左侧安装CF35气动预抽角阀,KF16气动放气阀以及预留若干CF35法兰;
e) 右侧预留若干CF35法兰;
f) 蒸镀设备后侧配有铰链式方门,方便清洗真空腔体,真空室内部调试,维修以及取放物品。
2、蒸镀真空腔蒸发源:2套金属蒸发源,5套有机蒸发源
a) 2套金属蒸发源:配一台1000W可控硅调压电源,数字表显示蒸发电源,电流调整精度0.1A(微调),通过2根铜电极连接,两端可夹钨、钼和钽舟,每个金属蒸发源配有气动挡板,以便随时遮挡蒸发源;
b) 5套有机蒸发源:在源内放置4CC石英舟,配日本导电牌SR93温控表,精度±1℃,可以实现温度或电流补偿实现蒸镀速率稳定的功能,即能实现手动控制电流,配三台温控电源,有机源温度为室温—500度,每个有机蒸发源配有气动挡板,以便随时遮挡蒸发源;
c) 金属采用陶瓷罩密封四周以及隔板分隔,有机源采用隔板分隔,避免交叉污染。
3、蒸镀双真空腔样品台系统:
a) 蒸镀真空腔体样品台具有可升降,可旋转,可水冷(配有热电偶)功能;
b) 样片托架,可安装15*15mm样片25片,附着掩膜板;
c) 样片与蒸发源之间的间距为200-320mm,样片转速0~30转/分连续可调;
d) 样品台安装电动样品挡板;
4、真空泵机组:
a) 通过CF200高真空气动插板阀将真空腔体和1200L/S涡轮分子泵对接,再通过KF40高真空电磁截止阀将分子泵与9L/S机械泵对接;
b) 真空腔体和9L/S机械泵之间需要通过CF35高真空气动角阀连接,KF40高真空电磁截止阀和CF35高真空气动角阀和9L/S机械泵之间都需软管之间连接。
5、膜厚检测系统:
a) 采用SQC310C四通道英福康膜厚仪,膜厚仪拥有监测膜厚速率以及累计膜厚的功能;
b) 其中2个探头用于监测一套金属蒸发源和一套有机蒸发源,1个探头用于监测三套有机蒸发源;
6、设备机架:
设备支撑采用碳钢40方管焊接而成独立机架,表面喷塑,承重主体设备相关系统,并且可以由万向轮移动调整为主,通过地脚定位。
7、电控系统系统:
电气控制部分采用机架内置;
a) 3台有机源控制电源;
b) 1台金属源控制电源;
c) 蒸发源挡板控制电源;
d) SQC310C四通道英福康膜厚仪一台,可实现膜厚监测;
e) 涡轮分子泵电源一台、机械泵控制电源一台以及真空测量计(一低一高)一台;
f) 样品台以及其挡板控制电源一台;
g) 真空腔体内烘烤系统控制电源一台;
h) PLC控制器(10寸彩色触摸屏等);
i) 总控制电源以及其它辅助控制器。