全新HVFO108具有150 MHz的带宽，非常适合设计硅和碳化硅器件的设备研究工程师以及结合了碳化硅器件的系统开发工程师。

HVFO108真实地再现了上侧栅驱动信号，而没有负载和失真，从而可以清晰地看到米勒效应。任何具有高电容与CGE或CGS并联，和/或与栅驱动阻抗串联的高阻抗和大环路电感的常规HV差分探头在佳情况下将加载栅驱动信号或拾取干扰，并严重地导致电路故障。HVFO108在这些测量中表现更好。

HVFO108仅测量其高阻抗输入引线上的低压传感器电压。被测设备（DUT）的总负载很小。此外，低引线环路电感，> 100dB CMRR和低衰减可提供出色的信号保真度，噪声和抑制性能。

可以以高信号保真度采集高电压或存在EMC干扰信号的交流和直流传感器信号，并将其正确关联到电路和控制活动中。

探头和示波器输入之间的光学隔离减少了DUT的不利负载，提供了忠实的脉冲响应，并增加了对测量的信心。可以确保抵御危险的高压电平的安全，并且可以避免示波器的不安全“浮动”。

尽管电路中其他地方存在较高的dV / dt或dA / dt事件，但较高的CMRR（140 dB）仍可更精确地表示被测信号。测试引线经过优化，以限制环路电感和辐射拾取。衰减针对各种信号幅度进行了优化。
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