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根据结构及用途的不同,可控硅已有很多不同的类型,除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有;①快速可控硅。这种可控硅可以工作在较高的频率下,用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。②双向可控硅。它的特点是可以使用正的或负的控制极脉冲,控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光调节及直流电极调速和换向电路等。③逆导可控硅。主要用于直流供电车辆(如无轨电车)的调速。④可关断可控硅。这是一种新型可控硅,它利用正的控制极脉冲可触发导通,而用负的控制极脉冲可以关断阳极电流,恢复阻断状态。利用这种特性可以做成无触点开关或用于直流调压、电视机中行扫描电路及高压脉冲发生器电路等。
可控硅的用途很广泛,下面仅举两例来说明可控硅电路的工作过程。
双基极管的可控硅调压电路,D1~D2组成全波桥式整流电路。BG双基极管构成可控硅的同步触发电路(是一个张弛振荡器)。整流电压经电阻R1降压后加在A、B两点。整流后脉动电压的正半周通过R4、W向电容C充电,当充电电压达到双基极管峰点电压UP时,BG由截止转为导通,电容C通过b1e结及R。迅速放电,其放电电流在R。上产生一个尖脉冲,成为触发可控硅(SCR)极的触发信号,从而导致可控硅导通。可控硅导通后其正向压降很低,所以张弛振荡器即停止工作,电源电压过零时(由于无滤波电容,故为单向脉动电压)可控硅就自动关断。待下一个正半周到来时,电容C又充电,重复上述过程。因而串联于整流电路的负载RL上就得到~个受控的脉冲电压。电容C的充电速度与R4、、W及C的乘积有关,所以调节W之值,即能改变电容C充电到U,值的时间.也就可以改变可控硅的导通时间,从而改变了负载上电压的大小。
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