IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及*雪崩额定值的特性，功率MOSFET具有*的效率和可靠性，可以可用于多种应用。

漏极至源极电压（Vds）为200V

栅极至源极电压为±20V

Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm

25°C时300W的功耗Pd

Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id

工作结温范围为-55°C至175°C

应用

电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品

IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及*雪崩额定值的特性，功率MOSFET具有*的效率和可靠性，可以可用于多种应用。