单晶硅差压变送器 单晶硅压力变送器
单晶硅差压变送器 单晶硅压力变送器

ANS305-LT单晶硅差压变送器 单晶硅压力变送器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-12-01 09:34:27
297
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产地:国产;加工定制:是;
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上海艾恩森传感技术有限公司

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产品简介

ANS305-LT单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器,单晶硅压力传感器位于金属本体顶部,远离介质接触面,实现机
械隔离和热隔离,玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘,提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能
力,可应对复杂的化学场合和机械负荷,同时具备较强的抗电磁*力,适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。

详细介绍

主要参数 应用场合测量介质压力类型 差压量程范围 10kPa - 1MPa,详见选型表输出信号 4-20mA、4-20mA+HART、ModbusRTU/RS485及其它参考精度 ±0.2%量程上限,可选±0.5%量程上限,详见规格参数与接触材质兼容的流体压力、液位、差压、密度、界面、流量。


量程及范围极限测试标准:GB/T28474/IEC60770;基准条件:从零点开始的量程;硅油充液,316L不锈钢隔离膜片,4-20mA模拟输出,端基微调至设定值性能测试标准及基准条件总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、【静压影响 】、和其它影响的综合误差典型精度:±0.2%量程上限年稳定性:±0.2%量程上限/5年性能指标参考精度在-20-80℃范围内总影响量 ±(0.1+0.15TD)%/10℃环境温度影响静压影响零点影响 ±0.15TD%量程上限/4MPa满量程影响 ±0.2%量程上限/4MPa当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化, 其零点和量程的变化应不超过 ±0.005%量程上限/V电源影响任意位置安装,大不超过400Pa可通过清零功能校正按GB/T1827.3/IEC61298-3测试,<0.1%量程上限安装位置影响振动影响输出信号依据标准和测试基准条件,包括线性(BFSL)、迟滞、重复性。校准温度:20℃±5℃线性输出精度T ≤10(注1) ±0.2%量程上限 标称量程40kPa、250kPa 、1MPa、大值 ±0.5%量程上限平方根输出精度为以上线性参考精度的1.5倍注1:TD(Turn down)是指量程比,当|URV|≥|LRV|时,TD=URL/|URV|当|URV|≤|LRV|时,TD=URL/|LRV|D信号 类型 输出方式4-20mA 线性 二线制4-20mA+HART 线性 二线制Modbus-RTU/RS485 线性 四线制

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