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单晶硅压力变送器厂家
工作原理
单晶硅远传差压变送器 传感器模块采用全焊接技术,内部拥有一个整体化的过载膜片,一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连,传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连,压力通过隔离膜片和填充液,传递给传感器内的硅芯片,使压力传感器的芯片的阻值发生变化,从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比,再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。
当压力发生变化时,单晶硅产生应变,使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化,再由桥式电路获得相应的电压输出信号。
传感器模块采用全焊接技术,内部拥有一个整体化的过载膜片,一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连,传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连,压力通过隔离膜片和填充液,传递给传感器内的硅芯片,使压力传感器的芯片的阻值发生变化,从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比,再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。
单晶硅压力变送器厂家
功能参数
在量程的上下限范围内,可以任意设置,只要标定量程≥设置量程。 建议选择量程比尽可能低的量程,以优化性能。 | |
安装位置的变化,会发生零位影响,可以通过调零校正,无量程影响。 | |
两线制4-20mA,符合NAMIR NE43规范,叠加数字信号(Hart协议) | |
Imin(最小):3.9mA Imax()=21.0mA | |
低报模式(最小):3.9mA 高报模式():21mA (用户可预设定) | |
高报模式 | |
如果传感器或电路出现故障,自动诊断功能自动输出22.0mA | |
放大器部件阻尼常数为0.1s;传感器时间常数为0.1~1.6s,取决于量程及量程比。 附加的可调时间常数为:0~100s | |
<15s |
电磁兼容性(EMC)
A、射频辐射试验产品装配分解图
外型尺寸
表压范围和量程
A | -6~6 | 0~1~6 | 量程±0.075%F.S/每年 误差为量程的±0.1% (不含A量程) |
B | -40~40 | 0~6~40 | |
C | -100~100 | 0~40~100 | |
D | -100~400 | 0~100~400 | |
E | -100~4000 | 0~400~4000 | |
F | -100~40000 | 0~4000~40000 |
绝压范围和量程
A | 0~40 | 0~6~40 | 量程±0.075%F.S/ 每年误差为量程的±0.1% |
B | 0~250 | 0~40~250 | |
C | 0~2000 | 0~250~2000 |