单晶硅差压变送器厂家

YC3351单晶硅差压变送器厂家

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-08-01 14:02:20
232
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产地:国产;加工定制:是;
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天津宇创屹鑫科技有限公司

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产品简介

单晶硅差压变送器厂家输出:两线制4-20mA,符合NAMIR NE43规范,叠加数字信号(Hart协议)可选择线性或平方根输出。

详细介绍

单晶硅差压变送器厂家

测量检查

拆下法兰,检查敏感部件隔离膜片有无变形,破损和漏油现象发生。

拆下补偿板,不取出敏感部件,检查插针对壳体的绝缘电阻,在电压不超过100V的情况下,绝缘电阻不应小于100MΩ。

接通电路和气路,当压力信号为量程上限值时,关闭气源,输出电压和读数值应稳定不动。如果输出电压下降,则说明变送器有泄漏,可用肥皂水检查出泄漏部位。

现场故障检查

一次元件堵塞或安装形式不对,取压点不合理。

引压管泄漏或堵塞,充液管里有残存气体或充气管里有残存液体,变送器过程法兰中存有沉积物,形成测量死区。

变送器接线不正确,电源电压过高或过低,指示表头与仪表接线端子连接处接触不良。

没有严格按照技术要求安装,安装方式和现场环境不符合技术要求。

单晶硅差压变送器厂家

性能参数

测量介质:

气体、蒸汽、液体

精度:

±0.075%、±0.1%、±0.2%(包括从零点开始的线性、回差和重复性)

稳定性:

±0.1%/3年

电源:

10~36V DC(推荐24V DC)

调量程的参考精度:

若 TD>10 (TD= 量程 / 调节量程 ) 则为:±(0.075×TD)%

环境温度:

-40℃ ~85℃

测量介质温度:

-40℃~120℃

贮藏温度:

-40℃ ~85℃

显示:

LCD、OLED

显示器显示模块温度:

-20℃~70℃(LCD)、-40℃~80℃(OLED)

物理参数

测量膜片:

316L 、钽、哈氏合金C、蒙乃尔

过程连接:

不锈钢304、316L

螺母及螺栓:

碳钢镀锌、不锈钢

填充液:

硅油、氟油等

密封圈:

丁腈橡胶、氟橡胶、聚四氟乙烯

变送器外壳:

铝合金材质,外表喷涂环氧树脂

外壳密封圈:

丁腈橡胶

铭牌:

不锈钢304

重量:

2.8kg(无:安装支架、过程连接)

外壳防护等级:

IP67

防爆等级:

Exd Ⅱ CT6 Gb、Exia Ⅱ CT6 Ga

电源及负载条件

电源电压为:

24V DC R≤(Us-10V)/ImaxΩ 其中Imax=21 mA

电源电压:

36V DC

最小电源电压:

10V DC

数字通讯负载范围:

250~600Ω

功能参数

量程限

在量程的上下限范围内,可以任意设置,只要标定量程≥设置量程。

建议选择量程比尽可能低的量程,以优化性能。

安装位置影响

安装位置的变化,会发生零位影响,可以通过调零校正,无量程影响。

输出

两线制4-20mA,符合NAMIR NE43规范,叠加数字信号(Hart协议)

输出信号极限

Imin(最小):3.9mA Imax=21.0mA

报警电流

低报模式(最小):3.9mA 高报模式:21mA (用户可预设定)

报警电流默认设置

高报模式

故障警告

如果传感器或电路出现故障,自动诊断功能自动输出22.0mA

响应时间

放大器部件阻尼常数为0.1s;传感器时间常数为0.1~1.6s,取决于量程及量程比。

附加的可调时间常数为:0~100s

预热时间

<15s

电磁兼容性(EMC)

A、射频辐射试验

试验场强

频率范围

EUT放置

极化方向

检测结果

3V/m

80MHz-1GHz

正立

水平极化

受试样品内存数据不变

垂直极化

受试样品内存数据不变

B、工频磁场抗扰度试验

磁场强度

检验结果

400A/m(X、Y、Z)

受试样品内存数据不变


防爆证书

 

 

 

 

 

 

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