单晶硅压力变送器工作原理

YC3351单晶硅压力变送器工作原理

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2022-04-25 14:46:09
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天津宇创屹鑫科技有限公司

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产品简介

单晶硅压力变送器工作原理在量程的上下限范围内,可以任意设置,只要标定量程≥设置量程。建议选择量程比尽可能低的量程,以优化性能。

详细介绍

单晶硅压力变送器工作原理

工作原理

单晶硅远传差压变送器        传感器模块采用全焊接技术,内部拥有一个整体化的过载膜片,一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连,传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连,压力通过隔离膜片和填充液,传递给传感器内的硅芯片,使压力传感器的芯片的阻值发生变化,从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比,再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

单晶硅压力变送器工作原理

功能参数

量程限

在量程的上下限范围内,可以任意设置,只要标定量程≥设置量程。

建议选择量程比尽可能低的量程,以优化性能。

安装位置影响

安装位置的变化,会发生零位影响,可以通过调零校正,无量程影响。

输出

两线制4-20mA,符合NAMIR NE43规范,叠加数字信号(Hart协议)

输出信号极限

Imin(最小):3.9mA Imax()=21.0mA

报警电流

低报模式(最小):3.9mA 高报模式():21mA (用户可预设定)

报警电流默认设置

高报模式

故障警告

如果传感器或电路出现故障,自动诊断功能自动输出22.0mA

响应时间

放大器部件阻尼常数为0.1s;传感器时间常数为0.1~1.6s,取决于量程及量程比。

附加的可调时间常数为:0~100s

预热时间

<15s

电磁兼容性(EMC)

A、射频辐射试验

试验场强

频率范围

EUT放置

极化方向

检测结果

3V/m

80MHz-1GHz

正立

水平极化

受试样品内存数据不变

垂直极化

受试样品内存数据不变

B、工频磁场抗扰度试验

磁场强度

检验结果

400A/m(X、Y、Z)

受试样品内存数据不变

产品装配分解图


外型尺寸


<strong><strong>单晶硅压力变送器</strong></strong>.png


表压范围和量程

量程代码

测量范围(KPa)

测量量程(KPa)

精度 / 稳定性

A

-6~6

0~1~6

量程±0.075%F.S/每年

误差为量程的±0.1%

(不含A量程)

B

-40~40

0~6~40

C

-100~100

0~40~100

D

-100~400

0~100~400

E

-100~4000

0~400~4000

F

-100~40000

0~4000~40000

绝压范围和量程

量程代码

测量范围(KPa)

测量量程(KPa)

精度 / 稳定性

A

0~40

0~6~40

量程±0.075%F.S/

每年误差为量程的±0.1%

B

0~250

0~40~250

C

0~2000

0~250~2000

表压过载极限

量程

1KPa

A

6KPa

B

40KPa

C

100KPa

D

400KPa

E

4000KPa

F

40000KPa

G

过载极限

1MPa

2MPa

5MPa

7MPa

9MPa

10MPa

50MPa

绝压过载极限

量程

40KPa A

250KPa B

2000KPa C

过载极限

1MPa

4MPa

10MPa









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