扩散硅压力变送器 硅单晶材料在受到外力作用产生***微小应变时(一般步于400微应变)，其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化(G因子突变)。用此材料制成的电阻也就出现***大变化，这种物理效应称为压阻效应。利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的扩散硅压力变送器。

扩散硅压力变送器概述   
扩散硅压力变送器采用具有成熟技术进口陶瓷传感器，再配以高精密电子元件，经严格要求的工艺过程装配而成。它与使用的常规压力变送器相比。有两个显著不同的技术差别：一是测量元件采用新兴的高精密陶瓷材料；二是测量元件内无中介液体，是*固体的。

扩散硅压力变送器压力变送器具有工作可靠、性能稳定、安装使用方便、体积小、重量轻、性能价格比高等点，能在各种正负压力测量中得到广泛应用。采用进口扩散硅或陶瓷芯体作为压力检测元件，传感器信号经高性能电子放大器转换成0-10mA或4-20mA统一输出信号。可替代传统的远传变送器，霍尔元件、差动变送器，而且具备DDZ-Ⅱ及DDZ-Ⅲ型变送器性能。能与各种型号的动圈式指示仪、数字变送器、电子电位差计配套使用，也能与各种自动调节系统或计算机系统配套使用。