IGBT吸收电容器2.5UF800V轴向薄膜电容
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IGBT吸收电容器2.5UF800V轴向薄膜电容

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2021-12-27 16:53:52
168
属性:
产地:国产;加工定制:是;IGBT :2.5UF800V;
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产品属性
产地
国产
加工定制
IGBT
2.5UF800V
关闭
深圳佳名兴电容有限公司

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产品简介

IGBT吸收电容器2.5UF800V轴向薄膜电容产品特点:

①缓冲电容器的CRE系列IGBT缓冲电容器符合ROHS和REACH标准。

②高脉冲电流,高dv/dt承受能力

③耐压高,损耗小,温升低

④镀锡铜引出线

⑤迈拉胶带封装。阻燃树脂灌注(UL94V-0)

⑥自感小,等效串联电阻小

详细介绍

IGBT吸收电容器2.5UF800V轴向薄膜电容产品特点:

缓冲电容器的CRE系列IGBT缓冲电容器符合ROHSREACH标准。

高脉冲电流,高dv/dt承受能力

耐压高,损耗小,温升低

镀锡铜引出线

迈拉胶带封装。阻燃树脂灌注UL94V-0

自感小,等效串联电阻小

 

 

IGBT轴向吸收电容


 

IGBT吸收电容器2.5UF800V轴向薄膜电容产品应用:

①IGBT缓冲吸收

广泛应用于电力电子设备中开关器件关断时的尖峰电压,尖峰电流吸收保护

③应用于高压高频,高电流脉冲电路中

 

引用标准 GB/T17702,IEC 61071

气候类别  40/85/56

额定温度 85℃

工作温度范围-40℃~+85℃

额定电压700Vdc~3000Vdc

容量范围0.0047μF~6.8μF

容差±5%(J),±10% (K)

耐电压 1.5× UN(DC),10s

损耗角正切  ≤ 0.0006 (1kHz, 20°C)

绝缘阻抗  ≥100 000MΩ, CN≤ 0.33μF (at 100VDC,60s ,20~25℃) ≥30000s CN> 0.33uF

自感系数  ≦1nH/mm of capacitor and lead length used for connection.

工作寿命 Operation life time 100 000h at UN , θhs ≦70℃


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