ITC55100雪崩能量测试仪是原成功产品ITC5510的升级版本，它能执行ITC5510系列的所有测试，同时增加了许多功能，如提高测试精度，测试结果的收集，查看测试结果，连接多个被测品。ITC55100可以用来对功率MOSFET和IGBT的耐用性测试。 它还能测试单，双二极管，使用ITC55 RSF输出选择器盒还可以测量IGBT的正向和反向偏置。

测试模式

单脉冲松开电感的开关（UIS）

单脉冲雪崩应力（EAS）

重复性雪崩能量（EAR）

重复脉冲故障（RPF）

执行的测试

连续性测试装置的插座和/或接触

DC零栅极偏置漏 - 源泄漏测试

- 前，后的雪崩

功能设备测试

雪崩测试

特点

单路/双路设备测试

N沟道，P沟道，混合

全固态切换 - 无需继电器

更快的测试

电流范围：0.1A至200A，0.1A步骤

雪崩电压至2500V

触摸屏程序进入/控制

波形捕获/显示

内部测试程序存储（20个文件）

高速电感充电，减少了测试时间

可编程漏电测试电压

前置/后置雪崩泄漏测试

雪崩折叠测试

多功能测试处理器控制

15硬件排序箱

改进的电压/电流精度

通过Flash下载软件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制参数输入密码

使用所有ITC电感负载箱

接口与ITC55MUX4 ITC55 RSF

内置自我测试

安全特性

测试时间

过量的泄漏关闭

外部安全锁定

两个并联的手动启动按钮

不断监测设备的电流。 如果电流超过或未能达到测试终止

或计算时间的可编程水平。