产品简介
探测器：硅雪崩光电二极管（APD）硅雪崩光电二极管（APD）是高速、高敏，并且具有内部增益机制的高增益频宽光电二极管。APD 在低光和快速响应时间的要求下，具有非常出色的测量效果。德国**传感器生产的所有雪崩光电二极管拥有丰富的尺寸和封装型号，也包括多元素阵列。
详细介绍
Series 8 APD硅雪崩光电二极管 波长750－820nm，具有高速，低温度系数，高增益，高带宽的特点。
应用于：激光测距、激光扫描仪、光纤通讯等应用
| 系列8 APD雪崩光电二极管 | 型号 | 有效面积 | 暗电流(nA) | 击穿电压(V) | 电容 | 上升时间 | 温度系数 | 噪声等效功率 | | 芯片 | 封装 | 尺寸(mm) | 面积(mm2) | @M=100 | @ID = 2μA | M=100(pF) | @M=100(ps) | UBR (V/K) | (W/Hz1/2) | | AD100-8 | TO52S1 | Ø0.100 | 0.00785 | 0.05 | 120-190 | 0.8 | <180 | 典型值：0.45 | 3×10-15 | | AD230-8 | TO52S1 | Ø0.230 | 0.042 | 0.3 | 1.2 | 180 | 1×10-14 | | AD230-8 | LCC6.1 | | AD500-8 | TO52S1 | Ø0.500 | 0.196 | 0.5-1 | 2.2 | 350 | 2×10-14 | | AD500-8 | TO52S2 | | AD500-8 | LCC6.1 | | AD800-8 | TO5i | Ø0.800 | 0.50 | 2.0 | 5.0 | 700 | 4×10-14 | | AD1100-8 | TO5i | Ø1.130 | 1.00 | 4.0 | 8.0 | 1000 | 8×10-14 | | AD1900-8 | TO5i | Ø1.950 | 3.00 | 15.0 | 20.0 | 1400 | 1.5×10-13 | | AD2500-8 | TO5i | Ø2.520 | 5.00 | 20.0 | 28.0 | 1500 | 3×10-13 | | AD3000-8 | TO5i | Ø3.000 | 7.07 | 30.0 | 45.0 | 2000 | 4.5×10-13 | | AD5000-8 | TO8i | Ø5.000 | 19.63 | 60.0 | 120.0 | 3000 | 9×10-13 | | |
