传感器类型 | | Si UV-Si IR IRE |
光谱范围 | Si UV-Si IR IRE | 350-1100nm 190-1100nm 800-1800nm 1200-2700nm |
刀片数 | | 3(BA3头) 7(BA7头) |
光束尺寸范围 | BA3-Si和BA3-UV BA7-Si和BA7-UV(椭圆形) BA7-Si和BA7-UV(圆形) BA3-IR3和BA3-IR3-E BA7-IR3和BA7-IR3-E BA3-IR5 BA7-IR5 | 3μm-5mm 15μm-10mm 15μm-9mm 3μm-3mm 15μm-3mm 3μm-5mm 15μm-5mm |
光束宽度分辨率 | >100μm <100μm | 1μm 0.1μm |
光束宽度精确度 | | ±2% |
功率范围 | Si和UV-Si探头 InGaAs探头 | 10μW-1W(有衰减片) 10μW-5mW(无衰减片) |
功率精确度 | Si和UV-Si探头 InGaAs探头 | ±5% ±10% |
功率分辨率 | | 0.1μW |
位置精确度 | | ±15μm |
位置分辨率 | | 1μm |
饱和度 | Si和UV-Si探头 | 0.1W/cm2(无衰减片),20W/cm2(NG9) |
测量速率 | | 5Hz |
温度 | | 0℃-35℃ |
PC接口 | | USB2.0 |