德国BATOP公司是一家专门生长半导体可饱和吸收体等半导体光电器件的公司。产品包括:SESAM半导体可饱和吸收镜(Semiconductor Saturable absorber mirror)、RSAM共振可饱和吸收镜(Resonant Saturable absorber mirror)、SOC可饱和吸收耦合输出镜(Saturable output coupler)、SLD超发光二极管(Super luminescent diodes)。 其中SESAM,RSAM和SOC是用于稳定、自启动DPSS被动锁模激光器的锁模元件。 |
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1. SESAM半导体可饱和吸收镜 |
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型号描述:SAM-800-1-X 800-1—中心波长为800nm,饱和吸收率为1%,所有可选波长及饱和吸收率如下: |
| 800(-1,-4), (R > 99% @750-850nm), 850(-2,-4,-10,-12), (R > 99% @810-860nm), 940(-4,-6), (R > 99% @910-990nm), 980(-2,-7,-11,-18), (R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm), 1040(-1,-2,-3,-4,-5,-6,-10),(R > 99% @1020-1110nm), 1064(-1,-2,-3,-4,-5,-6,-8,-10,-13),(R > 99% @1020-1110nm), 1510(-6,-11),(R > 99% @1470-1570nm), 1550(-1,-2,-3,-8,-10,-30,-50),(R > 99% @1500-1570nm)。 |
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X ——封装代码 |
| X=0,无封装的裸片 X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选 |
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2. RSAM共振可饱和吸收镜 |
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型号描述:RSAM-1064-27-X 1064-27—中心波长为1064nm,饱和吸收率为27%,所有可选波长及饱和吸收率如下: |
| 1064(-27,-47,-80), (R > 99% @1050-1070nm)。 |
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X ——封装代码 |
| X=0,无封装的裸片 X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选 X=FC/PC with TEC,安装在1米长光纤一端,且带TEC冷却器 |
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3. SOC可饱和吸收耦合输出镜 |
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型号描述:SOC-980-2-X 980-2—中心波长为980nm,饱和吸收率为2%,所有可选波长及饱和吸收率如下: |
| 980(-2,-4), (R > 99% @960-1020nm), 1064(-2,-4), (R > 99% @1040-1100nm)。 |
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X ——封装代码 |
| X=0,无封装的裸片 X=12.7g,粘在1/2英寸的铜柱上 X=25.4g,粘在1英寸的铜柱上 X=12.7S,焊在1/2英寸的铜柱上 X=25.4S,焊在1英寸的铜柱上 X=FC/PC,安装在1米长光纤一端,接头类型FC/PC或其他可选 |
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4. SANOS可饱和体噪声去除腔 |
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| | Free space SANOS (FS-SANOS) | |
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| | Fibre coupled SANOS (FC-SANOS) |
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SANOS可饱和体噪声去除腔的工作原理是:利用可饱和吸收体对弱的噪声光有很小的反射率,对强的输出光具有很大的反射率,这样光通过SANOS可饱和体噪声去除腔后,就能起到噪声去除的作用。可用于再生放大和脉冲选择以后的噪声光去除。 |
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型号 | 中心波长 | 反射系数 | 损耗 | 噪声去除率 | | nm | % | d B | d B | FS-SANOS-1064-1 | 1064 | >99 | 3 | 14 | FS-SANOS-1064-2 | 1064 | >99 | 6 | 20 | FC-SANOS-15XX | 1530-1560 | 50% | | 97% | FC-SANOS-15XX-TEC | 1530-1561 | 50% | | 97% |
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FS-SANOS-1064-1配备了一块饱和吸收体,FS-SANOS-1064-2配备了两块饱和吸收体; FC-SANOS-15XX-TEC是把饱和吸收体附在TEC制冷片上。 |