B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统

B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统适用于IC封装，半导体，微电子芯 片，磁性材料及其它电子零件进行高压、高温、不饱和/饱和湿热、等加速 寿命信赖性试验，使用于在产品的设计阶段，用于快速暴露产品的缺陷和 薄弱环节。测试其制品的密封性和老化性能。

是将被测元件放置于一定的环境温 度中,（环境温度依据被测元件规格设定）给被测元件施加一定的偏置电 压。同时控制系统实时检测每个材料的漏电流，电压，并根据预先设定， 当被测材料实时漏电流超出设定时，自动切断被测材料的电压，可以保护 被测元件不被进一步烧毁。

应用于二极管，三极管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各种封装 形式的射频场效应管、射频功率器件进行温湿度下反偏试验 。

适用于IC封装，半导体，微电子芯 片，磁性材料及其它电子零件进行高压、高温、不饱和/饱和湿热、等加速 寿命信赖性试验，使用于在产品的设计阶段，用于快速暴露产品的缺陷和 薄弱环节。测试其制品的密封性和老化性能。

是将被测元件放置于一定的环境温 度中,（环境温度依据被测元件规格设定）给被测元件施加一定的偏置电 压。同时控制系统实时检测每个材料的漏电流，电压，并根据预先设定， 当被测材料实时漏电流超出设定时，自动切断被测材料的电压，可以保护 被测元件不被进一步烧毁。

应用于二极管，三极管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各种封装 形式的射频场效应管、射频功率器件进行温湿度下反偏试验 。

适用于IC封装，半导体，微电子芯 片，磁性材料及其它电子零件进行高压、高温、不饱和/饱和湿热、等加速 寿命信赖性试验，使用于在产品的设计阶段，用于快速暴露产品的缺陷和 薄弱环节。测试其制品的密封性和老化性能。

是将被测元件放置于一定的环境温 度中,（环境温度依据被测元件规格设定）给被测元件施加一定的偏置电 压。同时控制系统实时检测每个材料的漏电流，电压，并根据预先设定， 当被测材料实时漏电流超出设定时，自动切断被测材料的电压，可以保护 被测元件不被进一步烧毁。

应用于二极管，三极管，MOSFET，IGBT，SBD，GaN Fet, SCR以及各种封装 形式的射频场效应管、射频功率器件进行温湿度下反偏试验 。