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刀口扫描式光束分析仪
该光束分析仪是一款基于刀口扫描技术的产品。相比于CCD光束分析仪,具有更高的分析精度和分辨率,以及更小的光斑测量尺寸。同时具有较宽的光谱范围,覆盖UV-VIS-NIR。BeamAnalyzer有两种探测头,分别是3刀口(BA3)和7刀口(BA7)。BA3的分析仪适用于更小的光斑和近高斯类型的光束测量。BA7对任意光斑类型都适用,且精度更高。
产品特点 * 宽光谱范围:190-1800 nm * 可测光斑直径从3μm到9mm,精度达0.1μm * 光束2D/3D图像实时显示 * 可测量多种激光参数:光束轮廓,光斑尺寸,光束形状, 光束位置和功率* 采用刀口扫描技术,实现高精度高分辨率的光束分析 * 高动态范围: A/D 12 bit * 主机、探头以及控制软件采用USB2.0技术 * 结构紧凑,可用于OEM集成
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主要参数 | ||
传感器类型 | Silicon (Si), UV-Silicon (UV-Si),InGaAs (IR) or IR Enhanced (IRE) | |
光谱范围 | Si UV-Si IR IRE | 350-1100nm 190-1100nm 800-1800nm 1200-2700nm |
刀片数 |
| 3(BA3头) 7(BA7头) |
光束尺寸范围 | BA3-Si和BA3-UV BA7-Si和BA7-UV(椭圆形) BA7-Si和BA7-UV(圆形) BA3-IR3和BA3-IR3-E BA7-IR3和BA7-IR3-E BA3-IR5 BA7-IR5 | 3µm-5mm 15µm-10mm 15µm-9mm 3µm-3mm 15µm-3mm 3µm-5mm 15µm-5mm |
光束宽度分辨率 | >100µm <100µm | 1µm 0.1µm |
光束宽度精确度 |
| ±2% |
功率范围 | Si和UV-Si探头 InGaAs探头 | 10µW-1W(有衰减片) 10µW-5mW(无衰减片) |
功率精确度 | Si和UV-Si探头 InGaAs探头 | ±5% ±10% |
功率分辨率 |
| 0.1µW |
位置精确度 |
| ±15µm |
位置分辨率 |
| 1µm |
饱和度 | Si和UV-Si探头 | 0.1W/cm2(无衰减片),20W/cm2(NG9) |
刷新速率 |
| 5Hz |
温度 |
| 00C-350C |
PC接口 |
| USB2.0 |
相关配件:
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