美国QPhotonics超发光二极管-QSDM-670-5

美国QPhotonics超发光二极管-QSDM-670-5

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2021-12-13 10:16:06
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产品简介

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国QPhotonics超发光二极管-QSDM-670-5

品牌介绍:

QPhotonics于2000年成立,是研究,开发和生产波长范围为405nm-1650nm的半导体发光器件的供应商。我们提供各种各样的激光二极管,超发光二极管和半导体光放大器,还提供用于建筑物激光系统的控制器,底座,准直器和光电二极管。多年来通过不断地研究创新,为客户提供高品质的产品及服务,

详细介绍

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国QPhotonics超发光二极管-QSDM-670-5

品牌介绍:

QPhotonics于2000年成立,是研究,开发和生产波长范围为405nm-1650nm的半导体发光器件的供应商。我们提供各种各样的激光二极管,超发光二极管和半导体光放大器,还提供用于建筑物激光系统的控制器,底座,准直器和光电二极管。多年来通过不断地研究创新,为客户提供高品质的产品及服务,满足客户需求。

美国QPhotonics超发光二极管-QSDM-670-5

产品范围:

美国QPhotonics激光二极管、超发光二极管、半导体光放大器、单模激光二极管、多模激光二极管、光纤耦合激光二极管、宽带光源、激光二极管模块、光电二极管。


主要型号:

QLD-405-100S、QSDM-670-5、QLD-405-175S、QLD-450-80S、QLD-488-50S、QLD-505-30S、QLD-520-50S 50、QLD-633-100S、QLD-635-10S、QLD-640-100S


相关产品介绍:

单模激光二极管

特征:

-单横模

-波长范围735-1600nm中为5-150mW。

-InGaAs,AlGaAs或InGaAsP MQW

-台地埋结构

-低电容

-3x1.5 um或5x1.5 um发射面积

-内置监控光电二极管

-可选的AR涂层正面

规格:

-型号:QLD-405-100S

-峰值波长(nm):400-415

-典型功率:100毫瓦

-激光类型:FP

-包:5.6毫米

-光谱宽度(nm):1.0


超发光二极管

特征:

-双角条纹MOCVD结构

-双增透膜,反射率0.5%

-蝴蝶式封装,带有内置监控光电二极管,热敏电阻,热电冷却器和单模光纤尾纤

-可选的FC / APC连接器

-连续或脉冲操作,切换时间10ns

-现在提供9mm TO封装,14引脚DIL,mini-DIL封装和芯片上安装座

规格:

-型号:QSDM-670-5

-峰值波长(nm):650-690

-典型功率:5毫瓦

-激光类型:SLD

随着我国工业自动化水平、高科技产品的高速发展,我们意识到引进新技术和高科技产品的重要性。所以,瑞利光电自成立之初便凭借着对国内和市场的深入调研和了解,在经营理念、管理制度、贸易接洽、人才任用等方面都拥有较大的竞争力,并确立了明确的战略目标。

(价格仅供参考  商品为进口商品,受汇率 关税 运费等不确定因素 ,不支持网上订货,订货前请电话确认价格)


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