产品介绍：
ODD-SXUV-DLPSD，双侧UV / EUV亚微米位置分辨率传感器。新设备在暴露于紫外线和/或极紫外辐射后可提供高度稳定的响应。它采用TO-8无窗口封装，可大程度减少暴露于强烈的UV/EUV光子后二极管的响应度变化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面积为5 mm x 5 mm，非常适合光刻应用以及需要使用200 nm以下波长的任何定位应用。
连续位置检测光电二极管设计用于位置检测1 nm至400 nm波长的光。在13 nm处的响应度通常为0.20 A/W；254 nm的响应度通常为0.02 A/W。在工作条件下，暗电流为10（典型值）和50（max.）nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向击穿电压，min.50伏，电容为40（典型值）至60（max.）pF。操作和存储温度范围从-10℃到40℃（环境温度）和-20℃到80℃（在氮气或真空条件下）。结温为max.70℃，引线焊接温度为0.080英寸，距外壳10秒钟为260℃。
参数：
活动区域：25 mm2
响应度R@13nm：0.20 A/W
响应度R@254nm：0.02 A/W
反向击穿电压，VR：min.50 V
电容，C：40pF（典型），60 pF（max）
上升时间VR = 30V，RL =50Ω：200 nm
分流电阻Vr =±10mV ：5 MOhms
电极间电阻：5,000（min），10,000（典型），15,000（max）欧姆
ID的温度系数：1.15次/ºC
位置非线性：±1 ％（典型），±2％（max）