可控硅触发器在电镀中的应用
时间：2013-12-13 阅读：1401
1 关于功率因素问题
可控硅移相触发器分级式是9级$11型，这种整流变压器经过分级，可大大提高功率因素，功率因素达到0．93以上。我厂在2002年就成功开发了S11型分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3，空载电流三相为1．，这种可控硅恒压恒流整流器KHB3特点是：温升低，噪音小，功率因素高，纹波系数为2％。而高频开关电源是由IGBT铁氧体，逆变电路制成的一种电源，我厂早在1997年就为广西中环公司配套了一台电流为2500A，电压为0～12V的开关电源，当时实际使用中，把开关电源升到电流2300A。电压为10．5V。同时广西中环公司也有我厂4台ZDDKF一2500A0～12V可控硅移相触发器。
其电流电压和开关电源同等条件下，在实际使用了近5个小时，结果明显发现。高频开关电源可比4台2500A可控硅移相触发器节电5％，但开关电源的沉积速度慢，活塞环表面硬度也没有可控硅移相触发器高，开关电源硬度为800～900HB。而用ZDDKF2500A可控硅移相触发器环表面硬度可达11o0HB。后来，广西中环公司还是选用了ZDDKF带分级式节能可控硅恒压恒流整流器KHB3。
开关电源和分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3对比，开关电源在2000A12V它的总功率和可控硅移相触发器2000A电流时基本一样的。功率因素差不了多少，耗电量也相等。
2 选择与对比
在同等条件下，高频开关电源比可控硅分级式可控硅恒压恒流整流器KHB3节电5％。但开关电源的电源沉积速度慢，活塞环表面硬度也没有可控硅移相触发器硬度高。国内人士推荐使用可控硅移相触发器，中国台湾创林公司活塞环厂家也在使用可控硅移相触发器，德国活塞环厂家，也是使用可控硅换向可控硅恒压恒流整流器KHB3。德国专家讲使用开关电源电镀工艺一般用在仿金工艺、贵金属、钟表业电镀中。可见对于活塞环电镀应选用可控硅移相触发器。
3 使用换向可控硅恒压恒流整流器KHB3
要想把活塞环表面做好，应该选用换向可控硅恒压恒流整流器KHB3，操作工艺如下：刚开始把工件放到电镀槽里，这时先用反向电流。在几秒内用大电流冲击一下，把活塞环表面的杂质剥离掉，通过15～20秒大电流冲击，活塞环的表面层质量效果提高，再把反向电流回到一定额定值，再工作几秒后，反向电流回零，通过软起动10——20秒后再使用正向电流，这种工艺效果好。在电源整流方面，我厂有丰富的经验，并配有各种产品。我们可以根据行业的生产需要帮助用户科学的设计，合理的使用整流电源，使其、节能、经济的在生产中发挥作用。