半导体工厂名词汇总
时间:2024-08-01 阅读:660
工艺类:
Al-Cu-Si铝硅铜:其成份为0.5%铜,1%硅及98.5%铝,一般制程通常是使用99%铝1%硅.后来为了金属电荷迁移现象(Electromigration)故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移。
Alloy合金(ALSI):半导体制程在蚀刻出金属连线后,必须加强Al与SiO2间interface的紧密度,故进行Alloy步骤,以450℃作用30min,增加Al与Si的紧密程度,防止Al层的剥落及减少欧姆接触的电阻值,使RC的值尽量减少。
Anneal回火:激活杂质、消除损伤
atoms:原子
Bake:烘烤,芯片置于稍高温(60℃~250℃)的烘箱或热板上均可谓之烘烤。随其目的不同,可区分为软烤(Softbake)与预烤(Hardbake)
Softbake:软烤,其使用时机是在上完光阻后,主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除,并且可增加光阻与芯片的附着力
Hardbake:预烤,又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake),主要目的为去除水气,增加光阻附着性,尤其在湿蚀刻(wetetching)更为重要,预烤不常会造成过蚀刻
BarrierLayer阻障层:为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰(spiking)现象,并降低彼此的接触电阻,在铝合金与硅之间加入一层称为阻障层的导体材料,常见的有Ti/TiN及TiW
Boat:晶舟
BPSG(boron-phosphor-silicate-glass):为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度,并且P吸附一些杂质离子,流动性比较好,作为ILD的平坦化介质
USG:没有搀杂的二氧化硅,LPCVD制得,一般沉积在BPSG下面,以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面,影响组件的特性。
BufferLayer缓冲层:通常此层沉积于两个热膨胀系数相差较大的两层之间,缓冲两者因直接接触而产生的应力作用。我们制程见的缓冲层即SiO2,它用来缓冲SiN4与Si直接接触产生的应力,从而提升Si3N4对Si表面附着能力。
Chamber:真空室,反应室
Al Bond Pad: Create a bond pad for packaging purposes
洁净室:又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间,恒温恒湿,对微粒要求非常高。常用class表示等级(class1即一立方米直径大于0.5微米的微粒只有一颗)。
Deposition Rate:沉积速率,表示薄膜成长快慢的参数。一般单位A/s
Copper Line:铜线
Die:晶粒,一片芯片(OR晶圆,即Wafer)上有许多相同的方形小单位,这些小单位即称为晶粒
Dielectric介电材料:介于导电材料之间的绝缘材料。常用的介电材料有SiO2,Si3N4等
Diffusion扩散
DIWater去离子水
Drypump:干泵,主要的特点是可以从大气压下直接开始抽气,所以可以单独使用
Electromigration:电子迁移,在电流作用下的金属。此系电子的动量传给带正电的金属离子所造成的
ETCH:蚀刻其制造程序通常是先长出或盖上一层所需要的薄膜,再利用微影技术在这层薄膜上,以光阻定义出所欲制造的电路图案,再利用化学或物理方式将不需要的部份去除,此种去除步骤,便称为蚀刻(ETCH)
FourPointProbe:四点测针,是量测芯片片阻值(SheetResistance)Rs的仪器。
FTIR:傅氏转换红外线光谱分析仪
GateValve:闸阀,用来控制气体压力的控制装置。
GateOxide:闸极氧化层
GrainSize:颗粒大小
Hillocks:小凸起
HPM:HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称,常用来去除移动金属离子。
ILD:Inter-LayerDielectrics内层介电材料,层金属层与Si底材之间的介电层,我们常用的是BPSG.
IntrinsicStress:内应力
ExtrinsicStress:外应力
IonImplanter:离子植入机
IonSource:离子源
LPCVD:LowPressureChemicalVaporDeposition,即低压化学气相沉积。
LDD工艺(轻掺杂漏):在漏极与沟道之间形成很一层很薄的轻掺杂区,降低漏极附近峰值电场强度,消弱热载流子效应。
Mask:光罩,在微影的阶段中,必要的线路或MOS电晶体的部分结构,将被印制在一片玻璃片上,这片印有集成电路图形的玻璃片称为光罩(Mask);在离子植入或LOCOS氧化时,上面会有一层氧化层或SiN层作为幕罩(Mask),以降低离子植入时的通道效应或氧化时的阻挡。
MFC:质流控制器
OCAP:OutofControlActionPlan,制程异常处理程序
OhmicContact:欧姆接触,金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面
PR:光阻(PhotoResist)
PVD:物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition)
TIM :Top Inner Magnet,顶部内磁铁
TOM : Top Outer Magnet,顶部外部磁铁
BIM :Bottom Inner Magnet,底部内磁铁
BOM :Bottom Outer Magnet,底部外部磁铁
ECP:电化学电镀(Electrochemical Plating)
ALD:原子层沉积(Atomic Layer Deposition)
WCVD:Tungsten (Wolfram) Chemical Vapor Deposition
MOCVD:Metal-organic Chemical Vapor Deposition
PLD:Pulsed Laser Deposition
IMD:Intermetal Dielectric
RPC:Reactive Preclean
PinHole:针孔缺陷类型
CMP:ChemicalMechanicPolishing,化学机械研磨
Recipe:工艺程式
Reclaim:再生硅片,测试硅片上的粒子与晶层经过蚀刻与磨平程序,可重新回收卖给晶圆厂使用
Reflow:再回流
Reliability:可靠性
RTP:快速热制程
Scanner:扫描装置
Silicide:金属硅化物,为金属舆硅的化合物
Salicide:自对准金属硅化物(Self-AlignedSilicide)
SEM:Scanning Electron Microscope扫描式电子显微镜
Scrubber:刷洗机
SheetResistance:片电阻
SPC(StatisticalProcessControl):统计,过程,控制英文的缩写,是一种质量管理方法
SPEC(Specification):规范界限
Spike:尖峰
Void孔洞:是一种材料缺陷,会影响材料的致密性,从而影响强度。当对表面有阶梯的晶片进行膜层沉积时,因为沉积角度不同等因素,导致洞口膜厚增加速率高于洞壁及洞底,这样的话沉积的膜层将无法填入洞中,极有可能造成孔洞
STR:Stress,应力,对固体物体所施与的外力或其本身所承受的内力,称为'应力(stress)'.
REF:Reflect 反射率
THK:Thickness 薄膜厚度
RS:Resisitance 电阻
PA:Particle 颗粒
DN:Defect Notice 缺陷通知报告
GOF:Goodness Of Fit 拟合度
EDC:Electronic Data Capture 电子数据采集
SOI(Silicon on Insulator):超薄绝缘层上硅技术
TEOS:四乙基正硅酸盐,含有硅与碳、氢与氧的有机硅源,化学分子式是Si(OC2H5)4,其沸点较高,常压下约(169℃)。在CVD制程的应用上,TEOS在足够的温度下TEOS进行反应而产生二氧化硅
热电偶(Thermocouple):测量温度之用。有两根不同材质的探头放入被测环境中,得到电压值,再将电压值转变为温度值。
Tungsten:钨
低真空(LowVacuum)760-1torr
中真空(MediumVacuum)1-10-3
高真空(HighVacuum)10-3-10-7
真空(UlteaHighVacuum)10-7~10-10
Uniformity:均匀性
UpTime:使用率,表示机台可以run货的时间,包含run货的时间及机台lost时间,即除down机时间
Via:金属与金属之间的通道
Yield:良率,即合格率,合格的产品占总产品的比例。
Fabless:指没有制造业务、只专注于设计的一种运作模式。Fabless 公司负责芯片的电路设计与销售,将生产、测试、封装等环节外包
Foundry:圆晶代工模式、专门负责生产、制造芯片,不负责芯片设 计,可同时为多家设计公司提供服务
IDM:Integrated Device Manufacturer,指垂直整合制造工厂,是集芯片设计、芯片制造、封装测试及产品销售于一体的整合 元件制造商,属于半导体芯片行业的一种运作模式
EPI:Epitaxy外延片
Lot:若干个晶圆组成的一个批次叫Lot
LOCOS(Local Oxidation of Silicon):硅局部氧化工艺
NPW:非产品片的总称,包括:结构片、监控片(Monitor)、QC片、Season暖机片、Dummy片
Season片:机台启动后,投个Season片进行暖机
STI(Shallow Trench Isolation):浅沟槽隔离
offline:与Lot加工处理不相关的定义为offline,比如设备PM、NPW的处理过程、辅助工具的处理过程的一些数据监控
Inline:与LOT加工直接相关的或者是监控LOT的参数属于Inline。
OOC/OOS:针对规格或控制图的两对控制线
VMS:(virgin makeup solution)
操作类:
Batch:若干个lot和NPW组成的集合
Hold:把片子锁住不让往后流片,执行此动作的系统是MES
splits:分批
Release:解锁,片子可以继续往后流
Future hold:提前设置好片子要Hold在未来的哪个工序
issue:产线出现的问题
Run:设备正在Run, 产品Lot
BKUP:Run_Foundry Lot,设备正在Run, 其他厂的Lot
TEST_CW:Run_NPW,设备正在Run, 控挡片Lot: C、D、Y、Z、V
TEST:借机, DOE, SRC等,设备可供Run, 但工程师通过向MFG借设备做工程实验/调整Recipe/或MFG follow SRC…等
IDLE:闲置,设备可供Run, 但因无WIP或其他间接物料可Run
SUSPEND:延缓,设备可供Run, MFG为了某些特殊原因而闲置, 如Q-Time管控, 空机等Key Lot…等)
MON_R:Daily Monitor,依据OI规定进行设备可靠性常规检查(Daily Monitor)
PM:预防保养,预防定期维护(维修保养)
MON_PM:PM后Monitor,预防定期维护后的可靠性检查(PM后Monitor)
DOWN:宕机,机台异常, 无法正常生产
MON_DOWN:Down后Monitor,机台异常修复后的可靠性检查(Down后Monitor)
HOLD_ENG:PE异常确认,PE澄清, 产品异常确认, 停止设备Run货(Defect…)
WAIT_ENG:等待PE/EE处理,设备显示异常信息,等待工程部(PE/EE)处理
WAIT_MFG:等待MFG处理,等待制造部处理(PE/EE借机后, 交回MFG)
FAC:Facility,因厂务的水/电/气/火…等异常引起Down机
CIM:IT,因MES/IT系统…等异常问题引起Down机
OFF:装机,停机
系统类:
SRC:split run card
RRC:recover run card
MES:Manufacturing Execution System,生产执行系统,用于管理生产过程的IT系统,包括:对生产过程和物理设施的建模、过程监控和追溯等功能,对下连接EAP、横向对接WMS、SPC系统和物流系统、对上连接ERP系统,也会和OA系统对接
FMEA:Fail Mode Effect Analysis
PRS:Process Release Standard
TRS:Tool Released Standard
STR:Special Test Request
MSTR:Mass Special Test Request
T0:Tier0 mean Pre-hook and hook up
T1:Tier1 means hardware installation and BKM test
T2:Tier2 means standard process tuning
T3:Tier3 means to go qualification lot or condition release
组织会议类
OP meeting:跨部门的生产会议
PP:生产计划
IE:工业工程师
MFG:制造部
YE:缺陷改善工程师
PE:工艺工程师,简称工艺
PIE:制程整合工程师
TD:技术研发部门
ECN:临时工程变更通知
DRB:Disposition Review Board,针对lot,比如超Spec了往下放就要开drb进行追踪
EAR:Event abnormal review:重大的品质事件
MRB:material review board,重大物料异常
Fab 生产指标名词
PN(Prior Notice):料号,不同供应商,不同材料参数的衬底会有不同的料号,和Raw material一样的意思,站在供货方角度叫PN,站在收货方角度就叫原材料
Cycle Time (C/T, Day Per Layer):(每层)生产周期,产品在经二道黄光制程之间所花时间
Move (Stage, Step(m/c),Location):晶片移动量
T/R (Turn Ratio):(在制品)周转率,每片晶片平均每天所跑过的Stage数
Wafer Out ( Wafer Start --> QC Inspection --> W/H):晶片产出量,经由OQA 检验合格由FAB出货的晶片数量
FAB_Yield:整厂良率,工厂的产出晶片良品数量与投入生产之晶片数量的比率
Wafer Acceptance Test Yield:电性合格测试的合格率
Move/Manufacturing Assistant-Hour:每人工小时的晶片移动量(生产力),每名MA每工作小时平均所产生的晶片移动量
OTDO (On-Time Delivery for Order):工厂准时交货率,工厂依照PC&IE订定的出货日程提早或准时出货的能力
OTDV (On-Time Delivery for Volume):工厂产量达成率,工厂依照P&IE订定的每月交货量出货的能力
Control wafer usage:控片使用率,平均每生产一片晶片所需使用的控片数量
Auto operation ratio:自动操作比例,系统预约operation的比例
Sampling ratio:抽样率,产品量测之比例
WPH(Wafer Per Hour):机台每小时晶片产出量
Uptime:设备时间稼动率,设备的实际可使用时间所占比例
Utilization:设备性能稼动率,设备在可使用时间范围实际用于生产的时间所占比例
Effi% loss:设备产出效能损失,设备的实际产出与理论产出的差异
Rework(RWK):产品重工率,反映产品按照既定recipe、机台产出既定规格产品之水平
OEE(Overall Equipment Efficienc):设备综合效率,设备负荷时间内实际产出与理论产出的比值
F-CLIP(Fab-Confirmed Line Item Performance):工厂准时交货率,工厂依照生产企划部订定的出货日程提早或准时出货的能力
F-CVP(Fab-Confirmed Volume Performance):工厂产量达成率,工厂依照生产企划部订定的每月交货量出货的能力
AOQ(Average Outgoing Quality):平均出货水准,无暇疵产品的比率