半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调
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半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调

HCPL100半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调

参考价: 订货量:
1000 1

具体成交价以合同协议为准
2024-09-06 09:06:23
110
属性:
产地:国产;加工定制:否;电流脉宽:50μs~500μs;脉冲电流上升沿时间:<10μs;输出脉冲电流?:3~1000A量程,精度0.1%FS±1A;
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产品属性
产地
国产
加工定制
电流脉宽
50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间
<10μs
输出脉冲电流?
3~1000A量程,精度0.1%FS±1A
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武汉普赛斯仪表有限公司

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产品简介

半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调优势:50~500us的脉冲宽度;15us的超快上升沿;同步测量电压;单台最大可达1000A输出;可极性反转;

详细介绍

普赛斯HCPL100型半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15us)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调


技术指标
电流脉宽  50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间    典型时间15us
输出脉冲电流        5 ~1000A量程,精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量    2独立通道
DUT电压测量   远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)
DUT电压测量    0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV

DUT电压测量   0~3V量程,精度0.1%±3mV

DUT电压测量    0~18V量程,精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流,如3000A
支持输出极性反转
触发信号  支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压        90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸:长516x宽250x高160mm
 

半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调



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