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FMI51-A1DTDJA1A1D音叉液位计 电容式液位计
面议FMI51-A1AGDJB2A1A/E+H 电容物位计
面议FMI51-A1AGCJA2A1A音叉液位计 电容物位计
面议FMI51-A1BGDJB3A1A音叉物位计 电容物位计
面议E+H/endress+hauser/恩德斯豪斯
面议陕西E+H污泥界面传感器探头
面议山西Endress+Hauser溶氧浊度探头
面议E+H电磁流量计10H08-12N6/115 压力控制器
面议经济型E+H电磁流量计10E15系列 压力控制器
面议高精度E+H质量流量计8E3B50-5WL9/0 压力控制器
面议现货到货E+H溶解氧变送器探头
面议供应E+H溶解氧变送器
面议超声波探头主要分为:直探头,斜探头,带曲率探头,聚焦探头,表面波探头,水浸探头,双晶探头,测 厚 ,高温探头等。进行垂直探伤用的单晶片探头,直探头产生的超声波为垂直于探头表面的纵波声束。
E+H分体式超声波探头FDU系列工作原理
E+H分体式超声波探头FDU系列超声波探头主要材料有压电晶体(电致伸缩)及镍铁铝合金(磁致伸缩)两类。电致伸缩的材料有锆钛酸铅(PZT)等。压电晶体组成的超声波传感器是一种可逆传感器,它可以将电能转变成机械振荡而产生超声波,同时它接收到超声波时,也能转变成电能,所以它可以分成发送器或接收器。有的超声波传感器既作发送,也能作接收。
E+H分体式超声波探头FDU系列技术参数
1.压电应变常数d33:
d33=Dt/U在压电晶片上加U这么大的应力,压电晶片在厚度上发生了Dt的变化量,d33越大,发射灵敏度越高。
2.压电电压常数g33:
g33=UP/P在压电晶片上加P这么大的应力.在压电晶片上产生UP这么大的电压,g33越大,接收灵敏度越高。
3.介电常数e:
e=Ct/A[C-电容、t-极板距离(晶片厚度)、A-极板面积(晶片面积)];
C小→e小→充、放电时间短.频率高。
4.机电偶合系数K:
表示压电材料机械能(声能)与电能之间的转换效率。
对于正压电效应:K=转换的电能/输入的机械能。
对于逆压电效应:K=转换的机械能/输入的电能.
晶片振动时,厚度和径向两个方向同时伸缩变形,厚度方向变形大,探测灵敏度高,径向方向变形大,杂波多,分辨力降低,盲区增大,发射脉冲变宽.(讲义附件16、19题部分答案)。
声 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00MM 探头频率: 2.500MC
探头K值: 1.96 探头前沿: 7.00MM 坡口类型: X
坡口角度: 60.00 对焊宽度: 2.00MM 补 偿: -02 dB
判 废: +05dB 定 量: -03dB 评 定: -09 dB
焊口编号: 0000 缺陷编号: 1. 检测日期: 05.03.09
声 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00 MM 探头频率: 5.00 MC
探头K值: 1.95 探头前沿: 7.00 MM 坡口类型: X
坡口角度: 60.00 对焊宽度: 2.00 MM 补 偿: -02 dB
判 废: +05 dB 定 量: -03 dB 评 定: -09 dB
焊口编号: 0000 缺陷编号: 1. 检测日期: 05.03.09
5.机械品质因子qm:
qm=E贮/E损,压电晶片谐振时,贮存的机械能与在一个周期内(变形、恢复)损耗的能量之比称……损耗主要是分子内摩擦引起的。
qm大,损耗小,振动时间长,脉冲宽度大,分辨力低。
qm小,损耗大,振动时间短,脉冲宽度小,分辨力高。
6.频率常数Nt:
Nt=tf0,压电晶片的厚度与固有频率的乘积是一个常数,晶片材料一定,厚度越小,频率越高. (讲义附件16、19题部分答案)。
7.居里温度Tc:
压电材料的压电效应,只能在一定的温度范围内产生,超过一定的温度,压电效应就会消失,使压电效应消失的温度称居里温度(主要是高温影响)。
8.超声波探头的另一项重要指标:信噪比---有用信号与无用信号之比必须大于18 dB。
E+H分体式超声波探头FDU系列精准度更好、使用、安装更加方便。我司为了用户的方便常年备有他们的库存,价格优势明显货期短,当天4点前都可以发货。如果您有需要可以来电详谈。我们将竭诚为您服务