使用对象:液体、气体和蒸汽

测量范围:0~0.1kPa至0~40MPa

输出信号:4~20mA DC(特殊可为四线制220V AC供电，0~10mA DC输出)

供电电源:12~45V DC，一般为24V DC

负载特性:与供电电源有关，在某一电源电压时带负载能力见图2，负载阻抗RL与电源电压Vs关系式为:RL≤50(Vs一12)

指示表:指针式线性指示0~刻度或LCD液晶式显示。

防爆: 隔爆型 ExdIICT6

量程和零点:外部连续可调

正负迁移:零点经过正迁移或负迁移后，量程、测量范围的上限值和下限值的值，

均不能超过测量范围上限的。(智能型:量程比15:1)大正迁移量为小调校量程的500%;大负迁移量为小调校量程的600%。

温度范围:放大器工作温度范围:--29~+93℃(LT型为:--25~+70℃)。

灌充硅油的测量元件:-40~+104℃

法兰式变送器灌充高温硅油时:-20~+315℃，普通硅油:-40~+149℃

静压:4、10、25、32MPa

工作原理

传感器模块采用全焊接技术，内部拥有一个整体化的过载膜片，一个压力传感器和一个温度传感器。温度传感器作为温度补偿的参考值。压力传感器的正压侧与传感器膜盒的高压腔相连，传感器的负压侧与传感器膜盒的低压腔相连，压力通过隔离膜片和填充液，传递给传感器内的硅芯片，使压力传感器的芯片的阻值发生变化，从而导致检测系统输出电压变化。该输出电压与压力变化成正比，再由适配单元和放大器转化成一标准化信号输出。

单晶硅压阻式压力传感器工作原理

压阻式压力传感器利用单晶硅的压阻效应而构成。采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组等值电阻，并将电阻接成桥路，单晶硅片置于传感器腔内。

当压力发生变化时，单晶硅产生应变，使直接扩散在上面的应变电阻产生与被测压力成比例的变化，再由桥式电路获得相应的电压输出信号。