离子研磨仪是为SEM或TEM电镜样品制备设计的离子磨装置,使用氩离子束蚀刻样品的横截面,避免了物理变形和结构损伤,而不需要复杂的化学过程。
此外，该离子研磨仪通过处理从几十微米到几毫米的大面积，简化了样品的横截面分析。

离子研磨仪特点

每小时700μm的高蚀刻速率（基于Si，8kV）
能够保存/加载经常使用的配方
具有自动执行功能的分步配方
使用智能样品架轻松装载样品
通过室内摄像机实时观察离子束状态和蚀刻状态
操作方便-直观的GUI和简单的触摸屏
通过离子束自动开启/关闭功能zui大限度地减少热损伤
使用内置数字显微镜与离子束快速方便地对准样品
带噪音、振动、无油隔膜泵
为大面积平面蚀刻提供平面铣削功能

离子研磨仪研磨过程

离子研磨仪规格参数

离子加速电压：2-8KV

研磨速度：700㎛/h (at 8kV on Si wafer)

样品台摆角：±35°

zui大容纳样品尺寸：16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm

样品运动范围：X axis : ±1.5mm，Y axis : ±2mm

平板掩模台倾角：40° to 80°

平面研磨的样品尺寸：Ø30 × 11.4(H)mm

控制：7英寸

数字显微镜放大倍率：5X，10x,20x,40x

气体要求：氩气（99.999%）

气压：0.1MPa

气流控制：质量流控制

尺寸：607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm

重量：36kg

离子研磨仪研磨结果