GaN MMIC Amplifiers单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚,具有可与美国同类产品媲美的产品性能,却具有竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。
GaN MMIC Amplifiers单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。

GaN MMIC Amplifiers单片微波集成电路MMIC放大器具有的可靠性，适用于高可靠性空间应用，结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值（GaN为3.4，GaAs为1.4）， 这使得它特别适合高可靠性应用。
GaN MMIC amplifiers made by China provide  high performance with lower price on market,  MMIC output power over the 0.03 to 4.0GHz band. This MMIC is matched to 50 Ohms at the input but un-matched at the output above 0.5GHz.