俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统又称俄歇电子能谱AES及低能电子衍射LEED样品表面深度分析系统。基于俄歇电子能谱AES、低能电子衍射LEED、及氩离子溅射深度分布的分析系统，完成对薄膜及合金的元素组成和深度分布的分析。 非接触式测量薄膜及合金元素组成。 带样品预抽真空室 （load-lock腔室）。   特性：    -对原子结构，元素组成和厚度分析达到“亚纳米级”精度    -大范围样品分析    -半自动化操作 

俄歇电子能谱及低能电子衍射分析系统系统特性 俄歇电子能谱AES分析器 分析器型号-延迟型区域分析器，自带同轴电子枪 能量分辨率：<5% 工作距离 10mm 检测器: 1e7至1e8增幅范围的电子倍增器通道 安装法兰-4.5英寸O.D.标准CF法兰（NW63CF)   电子枪： 型号 ：带可调焦距和束斑直径的双静电透镜 束流电压：0-3KV 束流电流：大50uA 束流直径：大800um 灯丝：钨灯丝 磁罩：带前置保护壳的Mu罩   深度离子溅射枪 离子源  在磁场内电子冲击形成离子 离子化阴极  钨-铼灯丝             直接安装于70mmO.D.CF法兰 束流电流：大10 uA 束流能量：0-3keV  束流尺寸;直径范围5至25mm 束流均匀度：<5% 气体输入：经过泄漏阀气体直接输入至离子源 安装法兰：23/4英寸（70mm）O.D.CF法兰   样品传递操作 样品尺寸：尺寸从10mm-20mm 样品置入：单个样品置入 样品传输：线型磁动样品传输臂   真空系统 腔体：100mm焊接超高真空腔体（304不锈钢） 真空泵：60L/sec离子泵和50l/sec的分子泵，配备匹配的前级泵 真空规：宽量程真空规   真空兼容：超高真空材料 烘烤：真空下可烘烤至250度 -