晶硅参考片

PV Reference Cell晶硅参考片

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2021-02-04 09:20:01
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产品简介

满足IEC60904-1(2017)要求,采用P型电池材料,光谱响应范围为0-1100nm,辐照测量范围0-1400W/m2,防护等级不小于IP66,信号以RS485Modbus输出,产品须附带校正报告。了解详情

详细介绍

          晶硅参考片

满足IEC60904-1(2017)要求,采用P型电池材料,光谱响应范围为0-1100nm,辐照测量范围0-1400W/m2,防护等级不小于IP66,信号以RS485 Modbus输出,产品须附带校正报告。

高精度晶硅参考片

满足IEC60904-1(2017)要求,采用N型电池材料,光谱响应范围为0-1100nm,辐照测量范围0-1400W/m2,防护等级不小于IP66,信号以RS485 Modbus输出,产品须附带校正报告。

 

  1. 晶硅参考片

性能

 

供电

12-28VDC

辐照度测量范围

0-1400W/m²

测量参考片温度

-40℃到90℃

通讯协议

RS-485 Modbus(RTU)

 

  1. 高精度晶硅参考片

性能

 

电池类型

N-type A

面积

20*20mm²

温度传感器

PT100 class AA

输出电压(STC)

15-50mv

测试报告

Fraunhofer ISE 

电压温度依赖性

0,06363%/°K (valid for HOQ filtered cells)

视角

不超过160°

防护等级

IP65

工作温度

-20℃到+45℃

工作湿度

10-85% RH

 

 

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