石墨烯生长炉由管式炉+真空系统+供气系统+水冷系统组成 ，*高温度可以达到1200度,可以是单温区、双温区、三温区等，极限真空可以达到10-3Pa，供气系统是流量调节可以是质子流量计或浮子流量计，混气路数可以是2路、3路、4路、5路相混合。
HS-1200G管式炉采用掺钼合金加热丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口氧化铝多晶纤维材料，具有温场均衡、表面温度低、节能等优点。
软件控制系统：该炉配有通讯接口和软件，可以直接通过电脑控制炉子的各个参数，并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况，炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出，并能把每个时刻的温度数据保存起来，随时可以调出。
产品用途：                                                       
石墨烯生长炉可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于*、高精模具、硬质涂层、装饰等领域。