浙江申达 MOS-1 功率场效应管测试仪

MOS-1 功率场效应管测试仪 概述

    MOS-1型功率场效应管测试仪，是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置，可用于标称电流约在2-100A，功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS（th）和放大特性参数跨导Gfs，尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A，由于采用脉冲电流测试法，即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏，更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试（配对）；

  仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量；仪器还是一台性能十分*的电子元器件耐压测试装置，其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。

MOS-1 功率场效应管测试仪 主要技术性能

• 击穿电压VDSS测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
• IDSS可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。
• 栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5% 。
• Gfs跨导测试电流Idm：不小于1—50 A连续可调， 精度：≤10 % 。
• Gfs跨导测试范围：1—100 。

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MOS-1 功率场效应管测试仪  主要测试功能

• 功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs的测试。
• IGBT的击穿电压V(BR)ces、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs的测试。
• 功率场效应管和IGBT在50A以下的任意电流状态下一致性的测试，可用于配对。
• 对其它更大电流和功率的场效应管及IGBT的测试：（见下面介绍）。
• 各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。
• 压敏电阻电压的测试等。

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MOS-1 功率场效应管测试仪  测试盒与测试线

• 利用测试盒可以方便的测试TO-126、TO-220、TOP-3等类似封装的功率场效应管和IGBT。
• 利用测试线可以测量其它金属类、模块类等封装形式的功率场效应管和IGBT。

即使你使用的场效应管标称电流和功率远大于本仪器所定的100A/300W，本仪器同样可以在50A的条件下测试其跨导

  Gfs参数及VDSS和VGS(th)两项电压参数。

 浙江申达 MOS-1 功率场效应管测试仪 测试实例

以上是部分管子的实测数据，其中带黑底色的为IGBT管，不同的厂家其参数可能有较大差异，仅供参考。