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太赫兹光电导天线 低温砷化镓天线 太赫兹天线发射器
自由空间的太赫兹发射器由一个光电导天线和高阻硅透镜封装而成。我们通常使用低温生产的GaAs（LT-GaAs）或者GaBiAs作为光电导材料。不同的光电导材料适用于不同的激发波长。
左图：太赫兹光电导天线，右图：太赫兹光电导发射天线电极结构
太赫兹光电导发射天线参数规格
| LT-GaAs太赫兹光电导天线 | GaBiAs太赫兹光电导天线 |
| 激发功率：<50mW, 典型值30mW | 激发功率：<20mW |
| 偏置电压：<50V, 典型值40V | 偏置电压：<50V，典型值40V |
| 集成高阻硅透镜 | 集成高阻硅透镜 |
| 激发波长：800±40nm | 激发波长：1050±40nm |
| 封装XY二维调节架，调节范围±3mm | 封装XY二维调节架，调节范围±3mm |
 |  |
自由空间太赫兹探测天线（太赫兹光电导天线）
左图：封装有电流放大器的太赫兹探测天线，右图：探测天线电极结构
太赫兹光电导天线探测器参数规格
| LT-GaAs太赫兹光电导天线 | GaBiAs太赫兹光电导天线 |
| 激发功率：<50mW | 激发功率：<20mW |
| 集成预放大器 | 集成预放大器 |
| 集成高阻硅透镜 | 集成高阻硅透镜 |
| 探测太赫兹带宽：5THz@100fs激光脉宽 | 探测太赫兹带宽：5THz@70fs激光脉宽 |
| 太赫兹频谱峰值位置：500GHz | 太赫兹频谱峰值位置：500GHz |
| 激发波长：800±40nm | 激发波长：1060±40nm |
| 封装XY二维调节架，调节范围±3mm | 封装XY二维调节架，调节范围±3mm |
 |  |
Teravil太赫兹光电导天线结构图，该结构设计中高阻硅透镜的位置可以微调，从而可以调节输出或者接收太赫兹的光束位置。在实际搭建太赫兹时域光谱仪系统的过程中非常方便实用。
Teravil太赫兹光电导天线产品型号列表
| 型号 | 太赫兹发射天线 | 太赫兹接收天线 | ||
| EMT-08 | EMT-10 | DET-08 | DET-10 | |
| 太赫兹光电导天线 | ||||
| 光电导天线衬底材料 | LT-GaAs | GaBiAs | LT-GaAs | GaBiAs |
| 光电导天线尺寸 | 5 × 1.5 mm | |||
| 厚度 | 600 µm | |||
| 光电导天线类型 | 线条型 | 偶极型 | ||
| 偏置电压 | zui高50 V, 典型值40 V | ±12V | ||
| 太赫兹中心频率 | ~0.5THz | 0.5THz | ||
| 可探测太赫兹光谱宽度 | / | / | 高至5THz | |
| 集成高阻硅透镜 | ||||
| 材料 | 高阻抗硅材料HRFZ-Si | |||
| 透镜类型 | 超半球，半球透镜 | |||
| 太赫兹波输出 | 平行光，或者发散光（根据封装透镜的类型而定） | |||
| X-Y可调节范围 | ±3mm | |||
| 激发激光参数 | ||||
| 激发波长 | 800±40 nm | 1060±40 nm | 800±40 nm | 1060±40 nm |
| 平均功率 | <50 mW | <20 mW | <50 mW | <20 mW |
| 脉冲宽度 | <150 fs | |||
| 重复频率 | 20-100 MHz | |||
| 光束轮廓 | 高斯形光束 | |||
| 光束直径 | ~2mm | |||
型号列表
| 型号 | 描述 | |
| EMT-8 | 800nm太赫兹发射天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| DET-8 | 800nm太赫兹接收天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| DET-8-PAM | 800nm太赫兹接收天线内置前置放大器 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头，内置前置放大器 |
| EMT-10 | 1060nm太赫兹发射天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| EMT-10 | 1060nm太赫兹接收天线 | 封装硅透镜，配送同轴线BNC接头 |
| MNT | 太赫兹发射接收天线安装架 | 包含用于聚焦激发光的透镜，该透镜安装在一个XYZ三维调节架上 |
| TMS-100 | 偏置电压发生器 | 30-70V直流或方波电压 |
| PAM | 前置放大器（带电源） | 电压-电流转换器，10^6V/A增益 |
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