美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪-电子/半导体检测仪器
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美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪-电子/半导体检测仪器

美国ITC 替代品 易恩大功率IGBT静态测试仪-电子/半导体检测仪器

参考价: 面议

具体成交价以合同协议为准
2018-07-20 19:03:24
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西安谊邦电子科技有限公司

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产品简介

系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。
系统标准功率源为3500V/200A,电流可扩展至2000A。
系统的自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作,实现全自动化的智能测试,计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活,可*测试器件以及单个单元和多单元的模

详细介绍

系统特征

针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统

大功率(IV可扩展至4500A,6000V

自动化程度高(按照操作人员设定的程序自动工作)

计算机记录测试结果,测试结果可转化文本或EXECL格式存储

采用品牌工控机,具有抗电磁*力强,排风量大等特点

测试方法灵活(可*测试器件以及单个和多单元的模块测试)

安全稳定(PLC对设备的工作状态进行全程实时监测并与硬件进行互锁)

测试范围

EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数其测试范围如下:

1栅极-发射极漏电流测试                     VGES、IGES

2栅极-发射极阈值电压测试                   Vge(th)

3集电极-发射极电压测试测试                 VCES、ICES

4集电极-发射极饱和电压测试测试             Vge(sat)、IC

5二极管压降测试测试                        VF、IF

6二极管反向可恢复直流电压测试          VR、IR

外形尺寸和电源要求

寸:800×800×1800(mm)

量:210kg

环境温度:15~40℃

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系统功耗: 380W

参数/条件

参数/条件

 

 

 

 

 

 

参  数

 

 

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

 

 

 

静态参数自动测试系统

静态参数手动测试系统

 

条  件

 

 

①栅极-发射极漏电流IGES

 

 

 

 

 

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

 

 

 

 

 

集电极电压VCE: 0V

 

 

 

 

 

栅 极 电 压 VGE: 20V ±3%±0.2V

 

 

 

 

 

②集电极-发射极电压BVCES

 

 

 

 

 

集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)

 

 

 

 

 

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

栅 极 电 压 VGE: 0V

 

 

 

 

 

③集电极发射极饱和电压VCESAT

 

 

 

 

 

VCESAT:0.1-10V

 

 

 

 

 

栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V

 

 

 

 

 

集电极电流ICE: 10-200A±5%(选配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

④集电极-发射极截止电流ICES

 

 

 

 

 

集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

 

 

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)

 

 

 

 

 

栅 极 电 压V G E : 0V

 

 

 

 

 

⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH

 

 

 

 

 

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

 

 

 

 

 

VGE=VCE

 

 

 

 

 

集电极电流ICE: 30mA±3%

 

 

 

 

 

⑥二极管压降测试VF

 

 

 

 

 

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

 

 

 

 

 

栅极电压VGE: 0V

 

 

 

 

 

流  I F : 10-200A±5%(选配)

 

 

10-200A±5%

10-200A±5%

导通电流  IC: 10-200A±5%

 

 

 

 

 

栅极电压VGE:±15V±0.2V

 

 

 

 

 

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