稳压二极管浪涌电流    IZM---大稳压电流。在大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流    iF---正向总瞬时电流    iR---反向总瞬时电流    ir---反向恢复电流    Iop---工作电流  

  Is---稳流二极管稳定电流    f---频率  

  n---电容变化指数；电容比    Q---优值（品质因素）    δvz---稳压管电压漂移  

  di/dt---通态电流临界上升率    dv/dt---通态电压临界上升率    PB---承受脉冲烧毁功率  

  PFT（AV）---正向导通平均耗散功率    PFTM---正向峰值耗散功率  

  PFT---正向导通总瞬时耗散功率    Pd---耗散功率  

  PG---门极平均功率    PGM---门极峰值功率  

  PC---控制极平均功率或集电极耗散功率    Pi---输入功率  

  PK---大开关功率  

  PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的大功率    PMP---大漏过脉冲功率    PMS---大承受脉冲功率    Po---输出功率  

  PR---反向浪涌功率    Ptot---总耗散功率    

Pomax---大输出功率  

  Psc---连续输出功率    PSM---不重复浪涌功率  

  PZM---大耗散功率。

在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的大功率  

  RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻    

  RBB---双基极晶体管的基极间电阻  

 RE---射频电阻    RL---负载电阻  

  Rs(rs)----串联电阻    Rth----热阻  

  R(th)ja----结到环境的热阻    Rz(ru)---动态电阻  

  R(th)jc---结到壳的热阻    r δ---衰减电阻    r(th)---瞬态电阻    Ta---环境温度    Tc---壳温  

  td---延迟时间    tf---下降时间  

  tfr---正向恢复时间    tg---电路换向关断时间    tgt---门极控制极开通时间    Tj---结温  

  Tjm---结温    ton---开通时间    toff---关断时间  

  tr---上升时间  

  trr---反向恢复时间    ts---存储时间  

  tstg---温度补偿二极管的贮成温度    a---温度系数  

  λp---发光峰值波长    △ λ---光谱半宽度  

  η---单结晶体管分压比或效率    VB---反向峰值击穿电压    Vc---整流输入电压  

  VB2B1---基极间电压  

  VBE10---发射极与基极反向电压    VEB---饱和压降  

  VFM---大正向压降（正向峰值电压）    VF---正向压降（正向直流电压）    △VF---正向压降差  

  VDRM---断态重复峰值电压    

VGT---门极触发电压