FF450R12ME4 规格参数
  产品种类:  IGBT 模块    
  制造商:  Infineon    
  RoHS:  符合RoHS    
  产品:  IGBT Silicon Modules    
  配置:  Dual    
  集电极—发射*电压 VCEO:  1200 V    
  集电极—射极饱和电压:  2.1 V    
  在25 C的连续集电极电流:  675 A    
  栅极—射极漏泄电流:  400 nA    
  Pd-功率耗散:  2250 W    
  大工作温度:  + 150 C    
  商标:  Infineon Technologies   
  栅极/发射*电压:  +/- 20 V   
  小工作温度:  - 40 C   
  安装风格:  Screw  

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