注：GaN（氮化镓，Gallium nitride）是Ga（镓）和N（氮）的化合物。

使用GaN材料的功率半导体与Si（硅）半导体相比较，可以在高温下动作，绝缘破坏电场强度高；而与使用SiC材料的功率半导体相比，能够高速开关，具有饱和电子移动度高等性能方面的优势。作为功率半导体，其应用前景很值得期待。

Main  Feature

主要特点

1率化

 使用低损失的GaN功率半导体，即使高频驱动，也能降低驱动器部和电机部的损失，提高输入输出效率。

2伺服系统的小型化

 采用高放热结构，使驱动器部小型化，实现内置于伺服电机的结构。增加外部轴也不需要增加驱动器。

 另外，在多轴伺服系统中，控制柜内的数台伺服驱动器部只需一台逆变器，能够实现控制柜的小型化。