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YB6200 半导体测试仪

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2018-05-15西安市

型号: YB6200

西安谊邦电子科技有限公司

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主营产品公司介绍

高速多用途半导体分立器件测试仪YB6500,半导体分立器件测试仪YB6200,大功率半导体器件测试仪YB580-X,

产品简介

谊邦电子科技YB6200半导体测试仪测试种类多、速度快、精度高、*性好、操作简单，编测试程序采用添加方式，数据保存为Excel表格。

详细信息

一、系统主要指标如下：

一、主极参数

1、主极电压： 100mV---2000V

2、电压分辨率：100mV

3、电压精度：1%+100mV

4、主极电流：100nA---50A 加选件YB550向下可扩展到20pA，

加选件YB580-X向上可扩展到：500A ，1000A，1250A。

5、电流分辨率：100nA 加选件YB550分辨率为10NA

6、电流精度：1%+10nA+20pA/V

二、控制极参数

1、控制极电压：100mV---20V 加选件可扩展到80V

2、电压分辨率：1mV

3、电压精度：1%+10mV

4、控制极电流：100nA---10A 加选件可扩展到40A

5、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA

6、电流精度：1%+10nA+20pA/V

二、测试种类

一、二极管DIODE

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VR	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nAto50mA	5mV	1%+100mV
V_F	0.10V to 5.00V to 9.99V	I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4）	5mV	1%+10mV I_F:1%+ 100nA

二、晶体管 TRANSISTOR

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1）
BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脉冲） BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
H_FE （1to99,999）	V_CE: 0.10V to5.00V^（5） to9.99V to49.9V	I_C: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B:100nAto10A	0.01hFE	V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA
V_CESAT, V_BESAT V_BE（V_BEON）	V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V	I_E:10uA to 49.9A（250A）^（4） to 25A （125A）^（4） I_B:100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV IE:1%+100nA IB:1%+5nA

三、稳压（齐纳）二极管ZENER

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to 50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VZ, V_{Z MIN}, V_{Z MAX} ZZ	0.10Vto50V to700V to999V（kV）^（1）	100nA（100pA）^（2） to3A to100mA to50mA	5mV	1%+10mV
V_F	V_F：0.10Vto5.00V to9.99V	I_F: 10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4）	5mV	V: 1%+10mV IF: 1%+ 100nA

四、结型场效应管J-FET

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_GSS I_DOFF.I_DGO	0.10Vto20V（80V）^（3） 0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nA（100pA）^（2）to3A 100nA（100pA）^（2） to50mA	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_DGO BV_GSS	0.10V to 999V（2kV） ^（1） 0.10Vto20V（80V） ^（3）	100nAto50 mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
V_DSON,V_GSON I_DSS, I_DSON R_DSON（_混合参数_） G_{FS （}_混合参数_）	0.10Vto5.00V to9.99V	I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_D: 1%+ 100nA I_G: 1%+ 5nA
V_GSOFF	0.10Vto20V（80V）^（³^）	I_D:100nA（100pA）^（2） to3A V_DS:0.10V to 50V	5mV	1%+10mV

五、MOS场效应管 MOS-FET

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_DSSV_IGSSFI_GSSR V_GSFV_GSR	0.10Vto999V（kV）^（1） 0.10V to20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nA（100pA）^（2） to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
B_VDSS	0.10Vto999V（2kV）^（1）	100nAto50mA	5mV	1%+100mV
V_GSTH	0.10Vto49.9V	I_D:100uAto3A	5mV	1%+ 10mV
V_DSONVF_（VSD） I_DONV_GSON G_FS（_混合参数_） R_DSON（_混合参数_）	V_DV_F: 0.10V to5.00V to9.99V V_GS:0.10Vto9.99V	I_F.I_D:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_G:100nAto10A	5mV	V:1%+10mV I_F.I_D:1%+100nA I_G:1%+5nA

六、三端电源稳压器件REGULATOR

测试参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
Vo Input / Output Regulation （混合参数）	V_O:0.10Vto0V（50V）^（3） V_IN:0.10Vto49.9V 负载：电阻或电流型	I_O:1mA - 5A	1mV	1%+10 mV
I_IN	V_IN:0.10Vto20V（50V）^（3）负载：RGK 1kΩ、10kΩ 外接，开路，短路	I_IN:1mA - 3A	10nA	1%+5nA

七、光电耦合器 OPTO-COUPLER

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_COFF、I_CBO I_R	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2） to50mA 100nAto3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_CEO, BV_ECO BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1600kV）^（1） 0.10Vto999V（2k0V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100μAto200mA to100mA to50mA 100nAto50 mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
C_TR （0.01to99,999） H_FE （1to99,999） V_F （Opto-Diode） V_CESATV_SAT	V_CE: 0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V V_F:0.10Vto9.99V	I_C:10uA to49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_FI_B:100nAto10A	0.0001C_TR 0.01H_FE 5mV	V: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_F, I_B: 1%+5nA

八、单向可控硅整流器SCR

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_DRMI_RRM I_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
V_DRMV_RRM BV_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto50mA 100nA to 3A	5mV	1%+100mV 1%+ 10mV
V_TM	0.10Vto5.00V to 9.99V	10μAto49.9A（250A）^（4） to25.0A（125A）^（4）	5 mV	V_T: 1%+10mV I_T: 1%+100nA
I _GT V_GT	V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） VT:100mVto49.9V	I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT	5 mV 10nA	1%+10mV 1%+ 5nA
I_L	V_D:5Vto49.9V	I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω,30Ω,100Ω,EXT	nA	nA
I_H	V_D:5Vto49.9V	I_H:10uAto1.5A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL设置）	1uA	1%+2μA

九、绝缘栅晶体管IGBT

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_CES I_GESF I_GESR	0.10Vto999V（2000V）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
BV_CES	0.1Vto450V（900V）^（1） to700V（1400V）^（1） to800V（1600V）^（1）	100μAto200mA to100mA to50mA	5mV	1%＋100mV
V_GETH	0.10Vto20.0V（80V）^（3）	100nAto3A	5mV	1%+10mV
V_CESAT I_CON V_GEON V_F G_FS（_混合参数_）	V_CE: 0.10Vto5.00V to9.99V V_GEV_F: 0.10Vto9.99V	I_C:10μAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） I_GEI_F: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_C I_F: 1%+100nA I_GE: 1%+5nA

十、双向可控硅TRIAC

参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_DRMI_RRM I_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to 3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（2）
V_DRMV_RRM BV_GKO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+ 10mV
V_TM	0.10Vto5.00V to9.99V	10μAto49.9A（400A）^（4） to25.0A（200A）^（4）	5 mV	VT: 1%+10mV IT:1%+100nA
I_GT V_GT	V_D:5Vto49.9V V_GT:0.10Vto20V（80V）^（3） V_T:100mVto49.9V	I_GT:100nAto3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT	5 mV 10nA	1%+10mV 1%+ 5nA
I_L	V_D:5Vto49.9V	I_L:100μAto3A I_GT:100nAto3A R_L:12Ω\30Ω\100Ω\EXT	N/A	N/A
I_H	V_D:5Vto49.9V	I_H:10uAto1.5A I_GT: 100nA to 3A R_L: 12Ω\30Ω\100Ω\EXT （IAK初值由 RL设置）	1uA	1%+2μA

十一、达林顿阵列DARLINTON

电参数名称	电压范围	电流范围	分辨率	精度
I_CBO I_CEO/R/S/X I_EBO	0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（ 80V）^（3）	100nA（100pA）^（2）to50mA 100nA（100pA）^（2）to3A	1nA（50pA）^（2）	1%+10nA+20pA/V （1%+200pA+2pA/V）^（1）
BV_CEO/R/E/S （10mA以上使用300us 脉冲） BV_CBO BV_EBO	0.10Vto450V（900V）^（1） to700V（1.4kV）^（1） to800V（1.6kV）^（1） 0.10Vto999V（2kV）^（1） 0.10Vto20V（80V）^（3）	100nAto200mA to100mA to50mA 100nAto50mA 100nAto3A	5mV	1%+100mV 1%+10mV
H_FE （1to99,999）	V_CE:0.10Vto5.00V^（5） to9.99V to49.9V	I_C:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A（125A）^（4） to3A I_B: 100nAto10A	0.01hFE	V_CE: 1%+10mV I_C: 1%+100nA I_B: 1%+5nA
V_CESAT,V_BESAT V_{BE（VBEON）}	V_CE:0.10Vto5.00V to9.99V V_BE:0.10Vto9.99V	I_E:10uAto49.9A（250A）^（4） to25A （125A）^（4） I_B: 100nAto10A	5mV	V: 1%+10mV I_E:1%+100nA I_B:1%+5nA

（1）需要2KV阳极/集电极选件。

（2）需要小电流测试台选件，可以提供需要的测试延迟时间为：1ms—99s。

（3）需要80V低源栅/基极选件。

（4）需要1.2KA大电流测试台选件。

（5）充许有电缆压降。

（6）表中部分器件测试需要定制专门的测试夹具。

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