优势和特点

• 低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
  ADR420: 1.75 μV峰峰值
  ADR421: 1.75 μV 峰峰值 
  ADR423: 2.0 μV 峰峰值 
  ADR425: 3.4 μV 峰峰值

• 低温度系数：3 ppm/°C

• 长期稳定性：50 ppm/1000小时

• 负载调整率：70 ppm/mA

• 电压调整率：35 ppm/V

• 低迟滞：40 ppm（典型值）

• 宽工作电压范围
  ADR420: 4 V至18 V 
  ADR421: 4.5 V 至18 V 
  ADR423: 5 V 至 18 V 
  ADR425: 7 V 至18 V

• 静态电流：0.5 mA（值）

• 高输出电流：10 mA

• 宽温度范围：−40°C至+125°C

产品详情

ADR42x系列为精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。 

利用温度漂移曲率技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至很小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。

应用

• 精密数据采集系统

• 高分辨率转换器

• 电池供电仪器仪表

• 便携式医疗仪器

• 工业过程控制系统

• 精密仪器

• 光纤网络控制电路