半导体退火炉 硅片退火炉

一、设备结构:
1、操作方式:左(右)手操作方式
2、硅片尺寸:圆形6寸片
3、工艺布局:满足客户工艺要求

4、自动化程度:工控机控制系统自动控制工艺流程
5、送取片方式:手动进出舟。
6、外形:主机1台，主机架为卧式两管。
二、主要技术参数:
1、加热炉管有效口径:满足6英寸硅片。可向下兼容5寸和4寸硅片。
2、工作温度范围: 上管:600~1400℃
          下管:200~500℃
3、恒温区长度及精度:600mm，
          上管:800-1400℃.±0.2℃/24h
          下管:200-500℃.±0.2℃/24h
4、控制方式:由工控机统一管理工艺
5、气路设置:每管两路气体:氮气100L/min.氩气100L/min。均采用MFC自动控制流量大小。晨立公司拥有十几年的专业研发制造经验。自成立以来，坚持产品设计和服务质量共同发展，积极进取，精益求精，不断提高产品核心竞争力。公司产品拥有自主产权。已拥有2项实用新型zhuanli，2项发明zhuanli正在申请中。有5名中、高级职称的工程师组成专业的研发团队，从事热工行业近20年之久，有丰富的生产制造经验。

公司本着和谐、共赢，以“质量求发展、以诚信为根本、以客户为中心、以用户满意”为最终目标的企业方针，为客户提供优质的产品，优良的服务。

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