电阻率计SEMILAB钢锭缺陷检测装置PLB-55

电阻率计SEMILAB钢锭缺陷检测装置PLB-55

钢锭缺陷检测装置PLB-55,PLB-55i,电阻率计RT-1000,体积电阻率测量装置RT-110,载流子寿命测定装置WT-2000P,WT-2010D,μPCD载流子寿命测量装置WT-2000PVN,少数载流子寿命测量装置WT-2000PI,PN测定仪PN-100

产品介绍

PLB是一种易于使用的装置，用于快速、非接触式检测太阳能电池应用中硅块中的缺陷和杂质浓度。

它是一种易于使用的装置，用于快速、非接触地检测光伏应用中硅块中的缺陷。

PLB是-种利用红外线检测硅块内部异物(主要是SiC、SiN等)的设备。用线锯等切割硅块时，通过提前检测和处理内部异物，可以防止线锯损坏和断线。

硅单晶、多晶、 非晶等体电阻率的非接触测量。有助于提高太阳能电池的转换效率。

RT-1000电阻率仪基于涡流法，可实现对锭块体电阻率的非接触、无损测量，以及单晶/多晶硅、锅屑等原材料的快速分选。RT-1000P 是该电阻率计的便携式版本，可通过 USB 端口与任何计算机配合使用。

RT-110电阻率仪是一种非接触式体电阻率测量设备，用于硅片的高速分选。它使用涡流技术工作。RT-110电阻率仪适用于测量半导体晶圆本身的电阻率和厚度。晶圆处理是手动完成的，测量是自动开始的。RT-110 可以测量四种不同的电阻率范围。导电类型也可以用内置的 PN 确定器来确定。

WT-2000P 是一种高通量在线测量仪器，通过测量载流子复合寿命和电阻率来监控硅块的质量。在 210 x 210 x 500 mm 的硅块上进行快速非接触式测量（单点、线扫描和/或地图）。有手动和自动测量方式，上块功能也有手动和自动（传送带）。它还具有高级自动化功能。

载流子复合寿命是多晶硅块的关键质量控制参数。测量基于 µ-PCD 方法。电阻率是基于涡流法测量的。

WT-2000PVN 是一款台式测量装置，可以测量各种太阳能电池、晶圆和块。基本系统配备间接功能，您可以根据实际需要从以下选项中选择配置测量功能。WT-2000PVN不仅可以测量晶圆和电池，还可以测量块和锭。测量晶圆或电池时，通常会创建地图。此外，在测量块或锭时，通常只创建线扫描以节省时间，但 WT-2000PVN 可以同时进行。

少数载流子寿命测量装置。u-PCD法可对硅块、硅片进行非接触、无损的寿命测量，并可进行映射显示。通过寿命测量，可以评估污染和杂质，例如硅和化合物半导体中的铁浓度。

WT-1200i 是一种非接触式手持式仪器，用于基于涡流检测光电导衰减 (e-PCD) 的单点体积寿命单点测量，适用于单晶锭和小块金属污染。专为检测而开发。与表面钝化样品中的 μ-PCD 高度相关。

WT-2000PI 寿命扫描仪是一款完整的测量设备，用于基于 e-PCD 方法监测 Ø300 x 500mm 硅锭中的少数载流子寿命，无需钝化。快速非接触式测量（硅锭上的单点、线扫描和/或地图）。具有手动和自动测量模式，并配备手动上锭功能。

硅单晶、多晶、非晶等体电阻率的非接触测量。有助于提高太阳能电池的转换效率。

少数载流子寿命测量装置。u-PCD法可对硅块、硅片进行非接触、无损的寿命测量，并可进行映射显示。通过寿命测量，您可以评估污染和杂质，例如硅和化合物半导体中的铁浓度。

WT-2000D是一款通过测量载流子复合寿命和电阻率来监控硅块质量的综合测量仪器。在 210 x 210 x 500 mm 的硅块上进行快速非接触式测量（单点、线扫描和/或地图）。有手动和自动测量方式，装块功能为手动。载流子复合寿命是多晶硅块的关键质量控制参数。测量基于 µ-PCD 方法。电阻率是基于涡流法测量的。

PN-100 是一种易于使用的仪器，用于快速、非接触式测定半导体材料的导电类型（p 或 n）。