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- 面议
低噪声前置放大光电探测器(0.4-2.1 um)
具体成交价以合同协议为准
2023-02-22
- 型号
产品简介
•兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）等半导体光电二极管
详细信息
| 电气特性 | |
| 兼容光电二极管 | Si（硅）、InGaAs（铟镓砷） |
| 有效光敏面积 | 7 mm2（Ø 3.0 mm）；3.14 mm2（Ø 2.0 mm） |
| 探测波长范围 | 0.4 - 2.1 um |
| 信号带宽 | DC - 5MHz |
| 输出电压 | ±10V（Hi-Z 负载）；±5V（50Ω 负载） |
| 跨阻增益 | 15000V/A（Hi-Z 负载）；7500V/A（50Ω 负载） |
| 通用参数 | |
| 信号输出接口 | SMA |
| 尺寸 | 54*51*23 mm3 |
| 重量 | 57g |
| 工作温度范围 | 10℃ 至 50℃ |
| 存储温度范围 | -25℃ 至 70℃ |
| 供电电源 | ±12V |
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