压力变送器 技术参数：

压力变送器  型谱：

特点：浮动硅电容芯片

 采用富士三代浮动膜盒技术，如图所示：被测差压通过导压管进入变送器的高低压保护室，保护室起到瞬间过压保护作用，差压信号通过毛细管进入测量室再作用到测量膜片和浮动膜片上，随着外加差压的变化，测量膜片产生与差压成比例的微小位移。硅膜片的作用相当于差动电容中的活动电极。在正常输入差压作用下，浮动膜片基本上是不动的，当检测部件一侧承受单向过载压力时，浮动膜片产生位移，这样就使用测量膜片的变形量减小。由于检测部件的核心体是随单向过载压力浮动的，因此，在承受单向压力时隔离膜片与基座波纹间被挤出的充灌液被吸收，测量膜片不会紧贴到对面的球形固定电极上，而是隔离膜片紧贴在与其吻合的基座保护波纹上不再移动。同时测量膜片和外壳没有应力的连接，使得变送器的长期稳定性得到大幅度提高。这就是富士公司单向保护、浮动膜盒机构。