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IRFP260NPBF MOS管
具体成交价以合同协议为准
2022-02-18深圳市
- 型号
- IRFP260NPBF
产品简介
英飞凌IRFP260NPBF 单N沟道MOS管 TO-247
详细信息
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及*雪崩额定值的特性，功率MOSFET具有*的效率和可靠性，可以可用于多种应用。
漏极至源极电压（Vds）为200V
栅极至源极电压为±20V
Vgs 10V时导通电阻Rds（on）为40mohm
25°C时300W的功耗Pd
Vgs 10V和25°C时50A的连续漏极电流Id
工作结温范围为-55°C至175°C
应用
电源管理,工业,便携式器材,消费电子产品
IRFP260NPBF是采用TO-247AC封装的200V单N沟道HEXFET功率MOSFET。该MOSFET具有极低的每硅面积电阻，动态dv/dt额定值，并联，坚固耐用，快速开关，简单的驱动要求以及*雪崩额定值的特性，功率MOSFET具有*的效率和可靠性，可以可用于多种应用。
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