(一)JSBXC 一 850 型半导体时间继电器
时间继电器 南铁信号品牌
1.延时电路
JSBXC 一 850 型半导体时间继电器(型号中 S 为时间,B 为半导体,850 是 370 和 480
之和)的时间控制电路如图 1 一 32 所示。其核心是由单结晶体管等组成的脉冲延时电路。
在单结晶体管BT的发射极E和第一基极B,的放电回路中接人继电器J的前圈(3-4 ,370
Ω ),它的后圈(1-2 , 480Ω )通过电阻 R 1 直接与电源相连。接通电源时,后圈有电流流过,
其电路为:
+24V 电源(73 端子)—二极管 D l 一 R 3 一 R 1 一 J 1-2 一电源(62 端子)。但是,R l 的阻
值很大,为 3 一 4 . 7 kΩ ,因此流过后圈的电流很小,继电器 J 不会动作。与此同时,电容
器 C,也开始充电,其电路为:+24V 电源(73 端子)一 D 1 ,一 R 3 一 R 6 ~R 7 (或 R 8 一 R 9 、
R 10 一 R 11 、R 12 一 R 13 )一 C l- -J 4-3 一一电源(62 端子)
此电流流过前圈的方向正好与后圈的相反,继电器更不会动作。
当电容器 C l 充电电压上升至高于单结晶体管 BT 的击穿电压时,BT 的发射极 e 与第一
基极 b l 间导通,C 1 放电,其电路为:
C 1 (+)一 BT eb1 。,一 R 2 一 J 3-4 。一 C 1 ,(-)。
此电流流过前圈的方向与后圈的相同,当两者之和达到继电器的工作值时,继电器吸起,
其前接点 11 一 12 沟通了自闭电路,电路为:
+24V 电源(73 端子)一 D l 一 R 3 一 J 11-12 一 R 4 ,—J 1-2 一电源(62 端子)。
由于 R 4 的接人,电路的电阻值降低近一半,流过后圈的电流大于继电器的落下值,继
电器可靠吸起。
2.延时时间
以上可见,由于 BT 和 C 1 ,组成的脉冲延时电路的存在,使继电器从接通电源到*吸
起经过了一段时间,这段时间就是继电器的缓吸时间。缓吸时间与充电电路的时间参数有关。
C 1 的电容量越大,充电至单结晶体管 BT 击穿电压的时间越长,缓吸时间越长。充电电路的
电阻值越大,电容器的充电电流越小,充电时间必然延长,缓吸时间越长。在端子 52、61、
63、83 上分别接人不同阻值的电阻,即获得四种延时。缓吸时间还与单结晶体管的击穿电
压有关,而击穿电压又决定于单结晶体管的分压比,分压比越大,击穿电压越高,缓吸时间
越长。
在半导体时间继电器中,Cl 和单结晶体管选定后,改变延时时间,就靠接入不同的阻
值的电阻来完成。
一般情况是,连接端子 51 一 52,为 3 min ;51 一 61 为 30s ;51 一 63 为 13s ; 51
一 83 为 3s。此外,通过端子的不同连接还可获得其他延时时间,如 51 与 61、63 相连,为
9s ;51 与 61、63、83 相连,为 2 . 3s,以满足电路的特殊需要。
3.其他元件的作用
(1)稳压管 D 2 、D 3
D 2 、D 3 与 R 3 串联后成为稳压电路,稳压值 19.5 一 20 . 5V,使继电器电源电压在 21 一
27V 间变化时保持标准值的吸起时间,以消除电源电压波动对延时的影响。
(2)二极管 D l
D l 是防止电源极性接错而设的,电源接错时它使电路不通。
(3)二极管 D 4 ,
D 4 并在继电器前圈两端,构成继电器断电时产生的反电势产生电路的回路,以免击穿
单结晶体管。
(4)电容器 C 2
C 2 是单结晶体管第二基极的平滑电容,也是稳压电路的滤波电容,以消除电源杂音对
电路延时的干扰。
(5)电阻 R 5 5
R 5 是单结晶体管的基极电阻。
4.特性
JSBXC 一 850 型继电器的电气特性与 JWXC 一 370/480 型相同。但有以下补充规定:
①继电器的延时误差不能超出标准值的士 15%。
②在通电至继电器吸起的缓吸时间内,后接点的压力为 0 . 098 一 0 . 147N。