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浙江申达 MOS-1 功率场效应管测试仪
MOS-1 功率场效应管测试仪 概述
MOS-1型功率场效应管测试仪,是一种新颖的全数字显示式功率场效应管参数测试装置,可用于标称电流约在2-100A,功率在300W以内的N沟导和P沟导功率场效应管主要参数的测试。它可以准确测量击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)和放大特性参数跨导Gfs,尤其是跨导Gfs的测试电流可以达到50A,由于采用脉冲电流测试法,即使在大电流测试时也不会对被测器件造成任何损坏,更可以在大电流状态下对场效应管进行参数一致性的测试(配对);
仪器*可用于同等电流等级的IGBT参数的测量;仪器还是一台性能十分*的电子元器件耐压测试装置,其测试耐压时的漏电流有1mA、250uA、25uA 三挡可以选择。仪器主要用于功率场效应管和IGBT的质量检验、参数的配对及其它电子元器件的耐压测试之用。仪器分N沟导型测试仪和P沟导型测试仪两种。仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便。
MOS-1 功率场效应管测试仪 主要技术性能
MOS-1 功率场效应管测试仪 主要测试功能
MOS-1 功率场效应管测试仪 测试盒与测试线
即使你使用的场效应管标称电流和功率远大于本仪器所定的100A/300W,本仪器同样可以在50A的条件下测试其跨导
Gfs参数及VDSS和VGS(th)两项电压参数。
浙江申达 MOS-1 功率场效应管测试仪 测试实例
型号 | 击穿电压 | 开启电压 | 跨导S | Gfs | 标称电流 | 标称功率 | 封装 | |
Vdss | Vgs(th) | Gfs | 测试电流 | ID | PD | |||
IRF640 | 基本参数 | 200V | 2-4V | ≥6.8 | 11A | 18A | 150W | TO-220 |
实测参数 | 225V | 3.0V | 12 | 11A | ||||
IRF1010 | 基本参数 | 60V | 2-4V | ≥69 | 50A | 84A | 200W | TO-220 |
实测参数 | 66V | 3.2V | 67 | 50A | ||||
IRF3205 | 基本参数 | 55V | 2-4V | ≥44 | 62A | 110A | 200W | TO-220 |
实测参数 | 60V | 2.9V | 68 | 60A | ||||
FQP70N08 | 基本参数 | 80V | 2-4V | 41 | 35A | 70A | 155W | TO-220 |
实测参数 | 86V | 3.2V | 46 | 35A | ||||
75NF75 | 基本参数 | 75V | 2-4V | 20 | 40A | 80A | 300W | TO-220 |
实测参数 | 81V | 3.6V | 52 | 40A | ||||
IRFP064 | 基本参数 | 55V | 2-4V | ≥42 | 59A | 110A | 200W | TO-3P |
实测参数 | 67V | 2.5V | 57 | 60A | ||||
2SK1120 | 基本参数 | 1000V | 2.5-5V | 4 | 4A | 8A | 150W | TO-3P |
实测参数 | 1086V | 2.3V | 5 | 4A | ||||
G160N60 | 基本参数 | 600V | 3.5-6.5V | * | 80A | 160A | 250W | TO-247 |
实测参数 | 626V | 3.9V | 35 | 60A | ||||
H40T120 | 基本参数 | 1200V | 5-6.5V | 21 | 40A | 75A | 270W | TO-247 |
实测参数 | 1390V | 5.7V | 20 | 40A | ||||
60N170D | 基本参数 | 1700V | 3.5-7.5V | 60A | 200W | TO-247 | ||
实测参数 | 1798V | 4.8V | 30 | 60A |
以上是部分管子的实测数据,其中带黑底色的为IGBT管,不同的厂家其参数可能有较大差异,仅供参考。