星际金华原装供应CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管，量大价优，质量有保证，现货出售可提供样品。

深圳市星际金华提供CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存储器/P沟道场效应晶体管  因市场价格变动幅度较大   实际交易请致电询问

CAV25M01VE EEPROM存储器

存储器类型 非易失

存储器格式 EEPROM

技术 EEPROM

存储容量 1Mb （128K x 8）

存储器接口 SPI

时钟频率 10MHz

写周期时间 - 字，页 5ms

电压 - 电源 2.5V ~ 5.5V

工作温度 -40°C ~ 125°C（TA）

安装类型 表面贴装型

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装 8-SOIC

NVGS3443T1G P沟道场效应晶体管 

FET 类型 P 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 65 毫欧 @ 4.4A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 15nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 565pF @ 5V

FET 功能 -

功率耗散（大值） -

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 6-TSOP

封装/外壳 SOT-23-6