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半导体静电放电发生器(型 号:ESD-606G)专门为半导体器件抗静电测试(HBM人体模式和MM机械模式)而设计,通过阻容放电模块输出波形,来满足标准 MIL-STD-883E METHOD3015.7
半导体静电放电发生器
技术特点:
● 超大液晶显示,智能控制高压输出,体积小,重量轻,操作方便;
● 内置温湿度传感器,及时记录现场试验环境;
● 电子式高压电源,电压稳定精度高;
● 内置单片机控制,稳定可靠,操作方便;
● 正负极性自动切换;
● 进口放电模块,分离设计,确保输出波形稳定性和可靠性。
主要技术参数 Specifications
项 目 | ANSI/ESD STM5.1 EIA/JESD 22-A114-B(HBM) ANSI/ESD STM5.2 EIA/JESD 22-A115-A(MM) |
输出电压 | 0—8kV±5% |
输出电压极性 | 正/负 |
放电电容 | 100pF±5% 200pF±5% |
放电电阻 | 1.5kΩ 0 Ω |
工作形式 | 单次 计数 |
放电次数设定 | 1~9999 |
放电间隔 | 0.1~9.9s |