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FF450R12ME4 规格参数
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射*电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 675 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
大工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射*电压: +/- 20 V
小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
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