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FF450R12ME4 英飞凌模块FF450R12ME4

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2018-06-28武汉市
型号
FF450R12ME4
参数
产地:进口 加工定制:否
武汉科琪电子有限公司

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IGBT产品,电容产品,MOSFET,可控硅,单管,整流桥产品,风机,驱动
产品简介
产品种类: IGBT 模块
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
详细信息

FF450R12ME4 规格参数
  产品种类:  IGBT 模块    
  制造商:  Infineon    
  RoHS:  符合RoHS    
  产品:  IGBT Silicon Modules    
  配置:  Dual    
  集电极—发射*电压 VCEO:  1200 V    
  集电极—射极饱和电压:  2.1 V    
  在25 C的连续集电极电流:  675 A    
  栅极—射极漏泄电流:  400 nA    
  Pd-功率耗散:  2250 W    
  大工作温度:  + 150 C    
  商标:  Infineon Technologies   
  栅极/发射*电压:  +/- 20 V   
  小工作温度:  - 40 C   
  安装风格:  Screw  

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产品参数

产地 进口
加工定制
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